SMT后功率MosFet 引脚不平问题请教--急急急

ACE_ASL

各位论坛大佬，

8 M; b% L0 \$ x. k/ o& ]/ q  d最近供应商给我们做了一批PCBA，我们打算用来做耐久长周期实验，周期大概4-5个月，不过实验前拿了个样件进行切片，
" p: F; {' q1 q; V" e发现MosFet两侧引脚底部锡膏很不平整，特别是右侧，已经很薄了，有如下几个问题想请教下各位，谢谢！

7 |& V/ e2 @7 v- A9 ~3 `% [% z/ [1.引脚不平整和元件本体不平整我在IPC相关文档里没找到标准，不知业界是否有经验管控标准呢？
. ]. f$ D4 s" O! M$ \% U- s1 I- Q$ x2.从图中看，右侧引脚底部锡膏厚度只有15um不到，SMT后，业界有最小锡膏厚度要求吗？
: U6 N& p" r! }3 R3.这种状态功能是不影响，但非常担心长周期实验会出现失效
7 R! g& j, \3 |! B3 M% d7 M; i4.SMT生产上能通过钢网厚度或开窗或其它什么方法来尽可能保证贴片后元件两侧尽可能平整吗？

1 X0 p4 I8 \; j8 J! M谢谢各位！
  R* N4 I3 K& }
切片
. g% Z+ T% S1 W0 c& c- z
  m7 w; k1 l  f
9 b+ D$ @& e+ l% u0 W
Mosfet 尺寸图
+ s/ F/ _* a- J/ ]' Z
8 s) \; ]& j/ A* d; K0 k, U/ _
- J9 ]2 K0 Z4 B8 \6 F! ^

ACE_ASL

有大佬知道吗？