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本帖最后由 EDADZE365 于 2022-9-26 13:31 编辑 # D1 a. V5 T$ ~! h7 S
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在设计PCB布局和布线时,将提到高速信号迹线的转角。很多人会说,高速信号不应该以直角跟踪,而是应该以45度角跟踪,并且可以说弧将大于45度,转角更好。
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那么,PCB布局到底是否可以90度布线? ) y9 q4 D' K. S3 l
高频和高速信号传输线应避免以90°角布线,这在各种PCB设计指南中都是强烈要求的,因为高频和高速的信号传输线需要保持特性阻抗一致,并且在传输线的角部使用90°角路由,将改变线宽。90°角处的线宽约为正常线宽的1.414倍。因为线宽变化,会引起信号反射。同时,拐角处的额外寄生电容也将导致耗时的信号传输,延迟影响。 当然,当信号沿均匀互连传播时,传输的信号将没有反射和失真。如果均匀互连上有90°角,则会导致角处pcb传输线的宽度发生变化。根据相关电磁理论计算表明,这肯定会带来信号的反射效应。 理论上是这样,但理论毕竟是理论。 , N0 L( c( C- c3 I4 ^/ w
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对于高速数字信号,90°转角将对高速信号传输线产生一定影响。对于我们当前的高密度和高速pcb,一般迹线宽度为4-5mil,90°角的电容约为10fF。据估计,由该电容器引起的累积延迟约为0.25ps,因此具有5mil线宽的导线上的90°角不会对当前高速数字信号(100 psec上升沿时间)产生很大影响。 对于高频信号传输线,为了避免集肤效应造成的信号损坏,通常使用更宽的信号传输线如50Ω阻抗和100mil线宽。90°角处的线宽约为141mil,由寄生电容引起的信号延迟约为25ps。此时,90°角将产生非常严重的影响。 同时,微波传输线总是希望尽量减少信号的损失。90°角处的阻抗不连续性和外部的寄生电容将导致高频信号的相位和振幅误差、输入和输出之间的失配,以及可能存在的寄生耦合,从而导致电路性能恶化,影响PCB电路信号的传输特性。 关于90°信号布线,我们的观点是尽可能避免90°布线。单个90°角对高速数字传输线信号质量的影响,相对于导线高度和参考平面的偏差、导线本身蚀刻过程中线宽和线间距均匀性的偏差,以及片材介电常数对频率信号变化的影响,即使通过寄生效应,也远比90°角更成问题。 然而,今天的高速数字电路传输线总是必须缠绕在相同的长度上。当超过十个或二十个角重叠时,由这些90°角的累积效应引起的信号上升延迟将变得不可忽略。高速信号始终沿阻抗路径传输,90°角长度相等,最终实际信号传输路径将略短于原始路径。 同时,在90°角处布线电缆在工程美学方面不符合人们的美学。因此,对于当前布局,无论您使用的是高频/高速信号线,除非有特殊要求,否则应尽量避免90°角布线。
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( s, ]8 P! c) P, g环节二:《服务器主板设计及仿真》
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( G" F8 Q/ R( g5 s/ J, | T$ U5 |- M环节四:《复杂单板PCB测试》
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. `( k! H2 D! \- J# d4 J3 W+ 3、直播要点
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% j5 J0 V$ I. W/ D1. 重磅嘉宾:兴森科技联合国产CPU的代表企业之一“飞腾”,及原华为PCB研发技术专家,为您剖析从信创到服务器硬件的脉络,并展示介绍CPU及服务器实物。 2. 服务器板、通信板等高端PCB的高速设计最难了。本期兴森专家将介绍服务器主板多种总线的互连特点及演进,并以行业产品最领先的PCIe5.0、DDR5、CPU核电源等为案例,剖析其PCB设计以及SI/PI仿真方法。5 p! J" q( i) U0 @4 H
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服务器主板PCB设计 % e5 c( N5 n/ R b' k4 `
3. 从事PCB制造的人很多,但你知道服务器PCB的制造挑战是什么吗?它是如何被攻克解决的?本期将走进兴森高端印制电路板批量制造厂——宜兴硅谷,沉浸感受与聆听这些窍门。 服务器PCB制造 - w/ b' B* f) Q6 f9 m" F
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《碳化硅功率器件选型要点及国产碳化硅芯片项目面临的八个实际问题》 + 1、直播内容简介 7 A9 e' q2 N. A
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SiC MOSFET以优异的特性大幅提高了电源性能,但同时带了使用时的技术挑战。在器件选型阶段需要关注具体应用要求与器件重点参数的联系,可以为更好地使用SiC MOSFET奠定基础。 4 L5 R4 o2 |: x5 H1 T
此外,国产碳化硅产业发展势头正旺,政府和投资机构密切关注,电源工程师也陷入了国产器件选择困难。了解国产器件发展现状、产业化模式、未来预期,将为广大行业相关人员提供参考。
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高远: 泰科天润应用测试中心主任& L7 r& M+ S0 ?5 @- N) i4 }) ]
《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》作者 泰克科技电源功率器件领域外部专家 第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师
1 _; d1 t& G" _$ b2 n现任泰科天润应用测试中心主任。中国电工技术学会电力电子专业委员会青年工程师工作组委员,第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师,泰克科技电源功率器件领域外部专家。
7 O# g0 q+ D8 C( P, K. D t. K# x: Q主要从事功率半导体器件的特性测试、评估及应用的关键技术研究工作,致力于推进功率半导体器件教育在高等学校普及和推广先进功率器件在工业界应用。发表学术论文8篇,授权专利4项,出版专著《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》,收录于机械工业出版社“电力电子新技术系列图书”和“半导体与集成电路关键技术丛书”,并列入“十四五”国家重点出版物。
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0 s( E( q2 b X+ L0 _- w3 qSiC Diode主要特性及选型要点 SiC MOSFET主要特性及选型要点 国产碳化硅芯片项目面临的八个实际问题
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