FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB，FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）

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FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB，FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）【供应，回收】
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型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS05MR12A6MA1BBPSA1
类型：6N沟道（3 相桥）IGBT模块，碳化硅MOSFET模块
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* F$ T5 U  L! M& S* l; c- D
一、FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB
! |: }  i" @( N, ?) G# m  XFET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
$ w( d! a3 }  }8 @# j& ~漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
! u% s. J0 {7 U, `* J  k* P* f不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
2 h# x+ w4 @2 _  p6 ~' V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
* d1 v: I  s& E不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.6nF @ 600V
功率 - 最大值：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2

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7 b1 M$ f$ I4 k6 `+ x0 b6 Q* w
. ^" P/ \8 K: Q# e! ]! t4 L) Z" U4 W二、FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）
4.2kV DC 1sec 绝缘
4 u4 N+ Q) o/ T) C8 g! t高爬电距离和电气间隙
2 l4 Q6 r& |8 i4 O紧凑的设计
高功率密度
直冷PinFin底板
9 b7 J" j+ l+ |. G$ m6 a高性能 Si3N4 陶瓷
PCB 和冷却器组件的导向元件
+ C0 W; \, k  L9 I集成 NTC 温度传感器
. a3 e- G" F0 ]  C( t; IPressFIT 接触技术
符合 RoHS 标准
UL 94 V0 模块框架
6 Q, n( }* I8 E9 e! [/ J( s新型半导体材料——碳化硅
; {6 D- \- j9 d$ B  p; X6 O- g) Y阻断电压 1200V
低RDSon
低开关损耗
低 Qg 和 Crss
T vj op= 150°C
: y* k8 H1 U% q  o


（供应，回收）深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收模块 FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS05MR12A6MA1BBPSA1。
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