FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB，FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）

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FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB，FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）【供应，回收】
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型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS05MR12A6MA1BBPSA1
( R" n4 z+ C% d类型：6N沟道（3 相桥）IGBT模块，碳化硅MOSFET模块
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+ F4 U! Z; A! _) L+ B$ g: N5 z$ B一、FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB
, G# m0 u2 S* X* i  Z& [1 X2 cFET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V
$ `& R1 h; R, E* x' _9 I) O7 g不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.6nF @ 600V
. t, D7 l9 Z2 K4 `1 }% ?) X功率 - 最大值：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
2 |0 |  ^7 _8 ], [供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2

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7 Z% O) q3 W) r- q5 Q/ A& c二、FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）
* p: j% h+ x. L4.2kV DC 1sec 绝缘
高爬电距离和电气间隙
紧凑的设计
高功率密度
直冷PinFin底板
& d( Y& N: L4 D高性能 Si3N4 陶瓷
0 N2 Z$ ~4 S+ A; DPCB 和冷却器组件的导向元件
* W4 B% |$ V( C  G3 q5 K! n集成 NTC 温度传感器
. g/ B4 C1 U6 v) dPressFIT 接触技术
符合 RoHS 标准
$ l* B# E' j- v- @. @  PUL 94 V0 模块框架
8 K& z- ?: r. v" `4 E新型半导体材料——碳化硅
阻断电压 1200V
( u( P3 t! n0 u! Y$ J低RDSon
低开关损耗
低 Qg 和 Crss
0 `$ Y+ b3 L- ?T vj op= 150°C
4 }9 ?% T: ?" x& B+ S" g" ^


8 o- U* K9 m% B9 F9 ]（供应，回收）深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收模块 FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS05MR12A6MA1BBPSA1。
6 C, D; P$ \* L, w有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！ QQ：1668527835
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