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本帖最后由 tick_tock 于 2022-9-26 16:53 编辑 % E0 O+ Z5 q3 _! t8 B* @
8 g& q" S6 T! k$ i- V* XNTMFS4C05NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，78 A，3.4mΩ+ A2 p" t; t0 `+ ~& A1 A8 b
规格：2 y$ ?0 l: d; L' ^( S# d# z
FET 类型：N 通道
- D6 Q* ~7 F3 `- Y9 e技术：MOSFET（金属氧化物）, s, P5 E0 }, l9 a
漏源电压（Vdss）：30 V
5 W( I O, Z, _% a" d# _25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta）
# \) F5 a& o; A n% g3 o驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V4 V% d* f# p) D4 U9 y D2 y% B0 A
不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V K* S' b, a: A0 z1 V/ V& N
不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250µA
. @/ L4 [$ ?( W' V8 y% z不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：14 nC @ 4.5 V
u+ j0 p9 h' W0 e0 nVgs：±20V
# g/ n# j& r6 ?# r( p6 I3 z6 | I不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V
. d$ m) u5 S* w' j$ g& X, M功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc）
9 \, K& a! O+ P工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） R& _. w' r; Y* e y( _
安装类型：表面贴装型
2 ~1 X/ {2 i, j1 I( x1 D供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）4 v- }& N$ r; S
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
( \+ Q( Z4 F; r, i; D1 \# R. X0 L! q8 t( @
特性：
/ I/ h* \- U0 I7 f6 N3 y低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
# m, {2 u& M7 R/ Q低电容以最大限度地减少驱动器损耗
/ N0 [4 ~3 H5 C, j5 Y6 X$ L+ v优化栅极电荷以最小化开关损耗
7 u+ R- u1 Y( W" O, \' ]2 V符合 RoHS 标准5 Y( P0 y: }/ l0 n; ^
" R# X9 G% T7 y! e% B应用：! w. Y# {1 g9 u, Z3 ]/ J" `
CPU 供电9 p9 D+ w2 ]2 A3 J/ ]
DC-DC转换器: A# m/ T$ I9 I
- T) } E/ }/ A& i [
NTMFS4C09NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ
! U8 M0 M/ w }6 m6 s* g规格：
7 @3 n5 s3 I( ^9 P6 j) nFET 类型：N 通道4 G- S! }3 g$ Y: u! L
技术：MOSFET（金属氧化物）
* ^" s9 u+ |, Q( Z& x% T* l5 v3 ?漏源电压（Vdss）：30 V
5 _3 V0 Z1 z. V: Y% H# c25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
; K& e0 X! J2 u/ E M( b& w驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
; r2 y, X4 X) e/ {# W不同 Id、Vgs 时导通电阻：5.8 毫欧 @ 30A，10V; r* F0 a! F; `! O3 M
不同 Id 时 Vgs(th)：2.1V @ 250µA
5 L) T5 q! {& h$ Z1 m5 q6 @不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：10.9 nC @ 4.5 V
! k( R: ]" @4 O+ l% YVgs：±20V/ V7 L7 s) x+ Z1 F9 g$ \0 n
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1252 pF @ 15 V1 h( h" y. \1 x% ]/ p$ U: n
功率耗散：760mW（Ta），25.5W（Tc）2 v2 I( n0 X" d( f
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
, F- m8 O' E9 l% N. Y安装类型：表面贴装型3 H/ q# R& T0 z# f8 m: B5 t
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8 t. e. @$ i1 J5 ~! m0 f f封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
! P( z* u% ]. K2 P; Y! c0 q7 I) o
7 }" k4 O. E- J) i& _特性：
) Y6 Q( T$ ~7 v低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
* h. B0 j* b3 ^8 T& o+ \' k低电容以最大限度地减少驱动器损耗) D3 P* E# P9 U+ R! h% X" h# H6 D
优化栅极电荷以最小化开关损耗
5 _/ ]' t* n% P/ ]3 u7 v符合 RoHS 标准( L, N. N+ X- o0 \6 [1 c. q
0 V9 O9 A7 [9 M5 ?应用：
. ?: }( V, O0 u; s4 mCPU 供电
# C- m5 B5 a7 b/ GDC-DC转换器
3 ?& T% G4 x0 L G H
6 X: G' W# U6 ~6 T: K$ `/ FNTMFS4C55NT1G：功率 MOSFET 30 V、78 A、单 N-沟道、SO-8 FL
+ A1 |: b1 c# c特征：
; W8 m, |& ^8 L低 RDS(on) 以最大限度地减少传导损耗" K9 D( H3 `: T4 U- Z8 b; p
低电容以最大限度地减少驱动器损耗& ^) Q$ k5 H2 D$ A) [7 V3 u
优化栅极电荷以最小化开关损耗/ P8 D" w/ a/ Z% `
这些器件无铅、无卤素/无 BFR，并且符合 RoHS 标准
% I5 W I% f2 E) f
{2 w' i& q* S) x应用：3 w) ~7 D5 X+ I5 a1 r- d- U+ m
CPU 供电; J4 N* N: X H
DC-DC 转换器
4 }# f, y; R$ E2 |% ]( k. |& k P+ l% D6 X9 l- j
NTMFS4C05NT1G，NTMFS4C09NT1G，NTMFS4C55NT1G：单N沟道，功率 MOSFET场效应管！; k5 c- E4 }/ ?! ~% a+ V, R
中间的最大电流承载力小，电阻大。选用时，根据参数选择需要的芯片。
' X0 ?) ]9 w9 S
3 J0 ~2 M) C2 h+ i0 G |
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发表于 2022-9-20 10:52
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