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本帖最后由 tick_tock 于 2022-9-26 16:53 编辑 + h" @2 V( {; L. {3 w4 E
$ w" W. J) Z% W
NTMFS4C05NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，78 A，3.4mΩ! r5 F- v9 \8 y5 g, e/ z8 r. r
规格：7 M) t G' f: U2 K0 ^- A
FET 类型：N 通道
$ Q6 I1 d3 ^* x# ?5 U技术：MOSFET（金属氧化物）5 _4 R% |# g, j. X# M2 _
漏源电压（Vdss）：30 V5 @7 S: \; w) h( q! d
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta）
8 X" _. b8 Y% F6 K' o驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V- ]5 A8 U: x* \- Y0 M3 G
不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V- L; n: n7 o( Y, v, n( Z/ N( G
不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250µA
$ C1 c$ R! n% w不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：14 nC @ 4.5 V
0 p; I! h8 N% `) i" ~1 J n SVgs：±20V: t; v# ^7 c4 [# o1 ]7 H6 a% z% c
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V/ S! `$ w; d) p- T$ E' g) x9 T( ~
功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc）
; o7 ~% Q; m" }工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
2 F; }2 K5 E! P5 N) x$ a$ x安装类型：表面贴装型, Q5 o4 \) r* }3 I
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
v' ^4 M& Z- E( k封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线" g$ a Y2 y3 S
5 i' M2 m2 g, p9 E
特性：
3 k9 Z( U# j9 M低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
4 W) T$ }+ u4 I5 {5 J0 N- j低电容以最大限度地减少驱动器损耗0 o9 }7 W$ [/ S
优化栅极电荷以最小化开关损耗# m% F, Q2 ?7 H' A0 J8 o, a
符合 RoHS 标准/ ^* {, |/ o, |" T( T
% c: H" G( y8 n5 V
应用：
" C0 X: s' A% f+ {5 M0 D. `$ pCPU 供电
& W7 c; `* x0 E7 sDC-DC转换器' q/ S! D, D! P% O; H
& n0 x6 P8 V% ^. _' S$ n2 S
NTMFS4C09NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ, S/ g `7 i! ^* ?4 ~) R# v+ }
规格：4 r! N" M; f5 r% L
FET 类型：N 通道& A# f# c- H( V8 K* F2 f+ N
技术：MOSFET（金属氧化物）$ u) T& M' u& x
漏源电压（Vdss）：30 V
$ G0 ~& h h) R5 c) H- Y1 @25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
3 p( U+ }- { w+ Z9 m' D驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V1 O. \1 j @+ U) U. L9 x
不同 Id、Vgs 时导通电阻：5.8 毫欧 @ 30A，10V5 [& Z5 g% u5 \1 ^! W4 i* K
不同 Id 时 Vgs(th)：2.1V @ 250µA
; F/ \0 `) F% k2 z% s$ N不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：10.9 nC @ 4.5 V8 ?' |; f$ G$ v1 c
Vgs：±20V
+ G3 n1 B" B- @' j4 ~: P* S0 i不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1252 pF @ 15 V
4 m, v# a- O9 V功率耗散：760mW（Ta），25.5W（Tc）+ L- O) K9 r0 i+ m4 }
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）5 d4 r2 T. ?: d# L/ v8 d0 N
安装类型：表面贴装型
9 q* [' N. f" \2 b+ c. S7 g供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
$ g2 s. V3 y/ ]+ {封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
/ a# A7 |/ d- }2 l8 m: s. R# y6 h$ E. {8 N& x
特性：
. P t4 I' d6 C( t低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗% D/ w- Y) l) M0 Y/ s
低电容以最大限度地减少驱动器损耗
8 B- x$ }) p5 \. F* u# [# D优化栅极电荷以最小化开关损耗% e( `1 k6 f* y) y0 ? N
符合 RoHS 标准# t; n- j0 r/ l( e0 w- j }
( s9 C" E" \( n$ z; i6 o
应用：, B( U4 J) n7 O0 g D# l: }
CPU 供电( T: x+ J$ W {8 `9 f
DC-DC转换器
; L( Q, c% `/ ]
; g, _1 V& a) I7 S, s3 uNTMFS4C55NT1G：功率 MOSFET 30 V、78 A、单 N-沟道、SO-8 FL
- G- E, s( V: |+ Z ?8 Q( w2 n特征：
3 ~- K; F, N' X4 v5 g' E T7 u低 RDS(on) 以最大限度地减少传导损耗 ]' j- a' g ^5 G0 I
低电容以最大限度地减少驱动器损耗& J& l5 a+ C/ \ n0 V4 n: `2 }. l) ]
优化栅极电荷以最小化开关损耗
; I( B2 @* {* b- F9 c" h& Y这些器件无铅、无卤素/无 BFR，并且符合 RoHS 标准$ a8 S. e+ o2 y4 |! C3 W4 n `
8 w* [& j+ j9 d$ p. F应用：
+ F9 J. Z j: T( E! HCPU 供电
* f6 L( H) Y% z8 @5 D9 F jDC-DC 转换器* Q4 U5 h/ A9 u& q
: I8 u, P+ u; A; ]2 w0 Q4 C
NTMFS4C05NT1G，NTMFS4C09NT1G，NTMFS4C55NT1G：单N沟道，功率 MOSFET场效应管！+ m( C) J* \6 q
中间的最大电流承载力小，电阻大。选用时，根据参数选择需要的芯片。
2 ]1 ~/ j5 G O9 ]+ b: q/ s1 @% `+ S
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发表于 2022-9-20 10:52
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