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NTMFS4 _NTMFS4C09NT1G 功率 MOSFET 30V、52A、单N-通道、SO-8FL 进口原装
$ N! O$ q R2 v) d- M7 g; L# t+ y4 X- U: ]' n) x) p e
产品规格9 ~" b" m, I% Z1 s& s
FET 类型 N 通道
7 i$ L6 y5 J; {5 |7 q4 v7 {技术 MOSFET(金属氧化物)
0 v+ i& g8 ^. C+ T. ~# Z漏源电压(Vdss) 30 V
7 D: s0 G0 w; V( `25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta)0 W# v F7 o7 _: t2 J
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V8 H8 S6 w/ T( U* r0 F
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 30A,10V
3 n* ~. [) x# Y, k0 I" l- ` ?不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA/ |: b* ~) C9 w0 Q/ ~ c
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.9 nC @ 4.5 V) i7 l/ ]8 `- B# M$ f2 l
Vgs(最大值) ±20V
' v4 x* z% y9 |+ |8 X7 d6 k* [不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1252 pF @ 15 V
3 u, v2 }7 l3 f1 AFET 功能 -
5 f" k6 V) L5 D( e) R% ?4 e5 F功率耗散(最大值) 760mW(Ta),25.5W(Tc)0 b$ F8 |! W: D* } G2 N- X% r
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
7 X& T/ k+ y; U! Q \安装类型 表面贴装型
4 D/ Q# _( y/ b: Q! r4 h供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)9 d; e4 `% H! X1 x
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线9 n; Y! v9 K" V- u. j
* n }5 I0 O# M q' ^3 J
应用* b- q; E& X o' e
CPU 供电
5 Z7 I! j: L; B4 F0 m% f k1 s. r3 GDC-DC转换器
8 |9 A) Q; C, B6 Q1 O. n ]
3 n1 [+ y, G. J( o J/ K0 \5 u晶体管 NTMFS4C09NT1G$ Y9 m: G( U& `+ W+ R
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