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ASR6601 是一款通用的 Sub-GHz 无线通讯 SoC 芯片, 该芯片集成了 Sub-GHz 射频收发器和 32 位的 RISC mcu。Sub-GHz 射频收发器不仅支持 LoRa 调制,还支持 (G)FSK 和 G(MSK) 等调制方式。CPU 为 ARM STAR,工作频率最大支持 48 MHz。此外,该芯片支持 3 x I2C,1 x I2S,4 x UART,1 x LPUART,1 x SWD,3 x SPI,1 x 12-bit SAR ADC 和 1 x 12-bit DAC 等丰富的外设和接口。
* E7 c8 c G+ |0 T. L ASR6601 的频率覆盖 150 MHz-960 MHz 的连续频段,可以支持世界上主要的 Sub-GHz 的 ISM 频段。芯片中集成的高效 PA 使其最大发射功率达到 +22 dBm,接收电流为 4.6 mA,最大灵敏度达到 -148 dBm。Deep Sleep 模式下的休眠电流低至 1.6 uA,可以大大延长电池寿命。该芯片有 QFN48 和 QFN68 两种封装,两种封装大小分别为 6x6 mm 和 8x8 mm。ASR6601 上述特性使其适合超远距离、超低功耗和高性价比的 LPWAN 应用;
5 p$ A+ R2 R% {2 Q! M' b! B关于 ASR6601 模组参考设计,注意事项如下:, D. G0 C b1 G7 X- g* z
1. ASR6601 匹配网络请参考 ASR6601 模组参考设计,其提供了 490 MHz(覆盖 470-510 MHz 频率范围)和 915 MHz(覆盖 864-928 MHz 频率范围)这两组常用的匹配网络;可以咨询我 230M;490;915M
1 @# L( O4 z9 r* {) m( o1 N( T2. 特别注意 DC-DC 的上拉电感 L7(15 uH)必须用功率电感(2016封装),功率电感的具体要求,可参考本文档 第 3 章物料选型指南。VR_PA 处的电感 L1(56 nH)建议选用 0402 封装,额定电流更大,对提升 TX 的发射功率有帮助。
7 |. z% }' m. b) E6 n4 g- g3. 在客户进行模组设计时,可以根据实际情况处理参考设计图中的 R1,R2,R3,R4 和 R7。上述参考设计图中加上这部分,只是为了方便测试。4 K6 \0 ^ W& w% }: m1 J# C3 Y4 ?
4. 32M 的晶体电路兼容了 XO 和 TCXO,客户可根据应用实际情况,选择用 XO 电路或者 TCXO 电路,从而可以简化电路。
% E) b- Z8 O; E! f+ N& {5. TVS 管 D1 和 D2 建议预留,主要是做 ESD 保护。如应用场景对 ESD 要求比较高,则需要加 D2。D2 对射频性能有影响,请务必选择电容小的 TVS 管。
* d/ `, u) }; N" e+ ]& G6. 如果 VDD_IN 用 VREG 供电,TX 的最大发射功率不超过 14 dBm;如果 VDD_IN 用 VDD_RF(3.3V)供电,TX 的最大发射功率可以达到 22 dBm% F. V; z) C3 |
ASR6601系列晶体的技术要求:0 O. N! X1 K; X: m
- 32 MHz TCXO/XO for RF:
8 ~7 S4 t+ r7 M3 n( H' l% z: h" q- d9 P# g
- a.晶体负载电容10pcs;2 ?5 K5 S( k1 P
- b,如果带宽低于 62.5 KHz,必须使用 TCXO(有源晶体)。& D0 I/ B1 d, z
- c,ASR6601 内部集成负载电容矩阵,该矩阵采用默认参数,一般不建议改动。
, r5 i& A8 v0 n7 T: U9 z9 s* N. R! X) ] - 如果频偏偏正,建议适当增加外接负载电容抵消频偏;如果频偏偏负,建议替换不同厂家 32 MHz 的晶振。. Y6 a0 @- n3 g$ V' M1 p; p) i" {
* O" ^" V/ ?6 \# `8 u
- 32.768 KHz XO for MCU:& @+ M0 w9 x" Y1 B
% R4 ? I- K3 G$ G3 b
- a,晶体负载电容6pf;9 }4 U/ \- m5 V
- b,ASR参考模组中,32.768K晶体处于负载电容NC;
4 r1 b4 ^- w: w7 x9 j1 { - C,外挂的负载电容根据晶体和PCB板的具体情况而坐相应的调整
$ s" p" [4 Y3 `
" N+ G! B# t. o' _! Y" H' i7 C( d9 {& k7 J, Q
- 关于 PCB 中的电源走线,需要注意下列事项:7 k+ L7 {- |4 g" Y, v4 a% T4 I
1. 电源最好加 2.2 uF 和 0.1 uF 电容滤波,来滤除低频和高频电源噪声。, R: x$ [# f$ V/ y
2. 电源线走线尽可能地宽,不应低于 18 mil,为了减少线间串扰,间距须符合 3W 规则。( l2 ~2 ]4 J1 e" l z6 b
3. 电源线不要跨其他电源线和高频走线,避免对电源造成干扰。0 M- y! c! A J& R
4. VDD_IN 的最大电流为 120 mA,需要使 VDD_IN 的走线可以承受 300 mA 的电流6 X; y& Z" q. \8 r
; U! @* L5 O; D2 D0 X
7 {) b4 V' J c3 F/ [7 p( Q4 u |
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