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在电路板卡的失效根因分析过程中,经过失效机理分析后,一般会采用影响因素验证的方法,对可能引起电路失效的外部和内部原因进行讨论和试验激发,并得到最终的失效原因。其中,电路内部的影响因素通常与部分关键器件存在紧密联系,这就要求我们对电路中每个单元、每个关键器件的功能和失效影响有充分的了解。基于电路的工作原理,结合失效背景信息和典型的失效模式,对引起电路失效的可能因素进行分析,是推动失效机理分析和影响因素验证工作开展的重要环节,如图1所示。本文以图腾柱驱动电路为例,针对电路无法输出高电平的失效表现,基于电路分析,得到失效的可能因素,为根因分析工作的开展打下基础。- Y/ V' W6 E) @; I' [. b, S
1 电路分析
; G; W5 d# z7 s5 e" X' ^ 图2为图腾柱驱动电路。该电路一般接收来自光耦、变压器等的副边信号,输出经过电流放大的驱动信号。在外接负载的情况下,当输入高电平时,上管Q1饱和导通,下管Q2截止。此时,二极管D2正向导通,负载电流通过Q1对功率MOS管(Q3)的栅极电容充电。在Q3逐渐导通的过程中,D2阳极的电压降低而进入反向关断状态,此时电容C1充当电源,继续为Q3提供驱动电流。在开通的最后阶段,Q3栅极电流下降到0。D1可为Q3栅极提供钳位保护,防止击穿。R1的功能是在输入电流接近于0时,将Q3的栅极电压继续拉高至输入信号的高电平电压。
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4 ~0 L; C- U# N$ t2. 引起失效的影响因素分析
, o7 l2 o$ r! Y% X8 X8 Z8 F' T 由上述分析可知,晶体管Q1、Q2、二极管D1、D2、电容器C1和电阻器R2是电路输出高电平的关键器件。若电路出现无法输出高电平的故障,则应重点考虑是否由这些器件的某些失效所引起,其失效影响因素分析示意见图3。根据失效因素分析结果,可以提前根据电路故障模式进行判断,有针对性地对可能原因X1~X6进行排查,快速分析出失效机理。然后,再结合失效背景信息,对该分析结果做进一步的细化,确定相关的外部因素。
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% }# a9 j& M1 ]4 }7 Y9 m | 图3 失效影响因素分析(无法输出高电平故障) |
3 案例与后续工作
) J6 d: M6 |0 t' u( S 某款图腾柱驱动电路模块长期工作于湿热环境中,其常见的失效模式为无法输出高电平,其电路结构与图2类似。根据图3,对各关键器件的I-V特性逐一进行排查,确定失效样品的二极管D2反向漏电失效。外部目检可见D2内部电极脏污变色,见图4。将D2开封后观察,发现芯片边缘附着铜屑,焊点上可检测到氯元素,周围存在银迁移现象,见图5。二极管在湿热环境中易于遭受水汽侵入,银焊料发生电化学迁移,且由于电极金属受到腐蚀脱落后附着在芯片边缘,在二极管阴极与阳极之间形成搭接,导致反向漏电增大,造成图腾柱驱动电路无法输出高电平。结合背景信息,可知样品的失效原因与湿热的环境条件密切相关。因此除了针对D2进行分析外,还要注意到D1、R2等同样是易于因水汽侵入而失效的器件。对它们的退化情况进行对比分析,才能提出有效的改进措施,全面地解决问题,如图6所示。
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! @7 p# Q! y$ Z, v' c$ [3 r# z | | 图4 模块F1#中二极管D2外观形貌 | 图5 模块F1#中二极管D2芯片形貌 | | 图6 基于失效机理的进一步分析,高亮所示机理与湿热环境直接相关 | | | 图7 模块F1#中电阻R2外观形貌 | 图8 模块F1#中R2内部电阻膜形貌 | 根据图6,对F1#中器件进行进一步排查,发现R2的电阻值比标称值偏大10%。目检显示其外保护层存在裂纹,开封后确认其电阻膜形貌呈现腐蚀、脱落特征,如图7、图8所示。说明电阻R2存在参数漂移的退化特征,虽然尚未达到造成电路失效的程度,但也存在导致电路无法输出高电平的风险。因此,在湿热环境下,器件由于水汽侵入而发生银迁移、腐蚀等失效,是该电路出现故障的主要风险。下一步可利用潮热试验、盐雾试验等手段,开展影响因素验证工作,并对失效率较高的器件提出整改建议。% ]4 }, M* F+ S/ X
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5 ]! B1 `: b# y3 Z! W0 v4 小结
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通过失效影响因素分析,不仅能够快速定位电路中的失效器件及其失效模式,还可结合具体失效机理,进一步分析其他器件的失效风险,有助于根因分析的后续工作开展。; f7 U0 g# R9 r" K" D2 m6 H* E
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