FS03MR12A6MA1LBBPSA1（6N沟道碳化硅模块）FS03MR12A6MA1LB【400A 20mW】

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FS03MR12A6MA1LBBPSA1（6N沟道碳化硅模块）FS03MR12A6MA1LB【400A 20mW】
FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
1 U' X+ m. N. x" r# X: m& J漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
% h* X; [) Q7 X  @1 c8 J1 {25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
! `- v" l% O' O+ ~$ b# m不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.7 毫欧 @ 400A，15V
. s! T+ B$ G; x; X6 x不同 Id 时 Vgs(th)：5.55V @ 240mA
$ T8 Z: G! @# i1 o; B3 k' ]不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大）：1320nC @ 15V
" a$ L8 V- m! y2 y  U( g4 B不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.5nF @ 600V
功率 - 最大值：20mW
) ^9 K% U5 M- G) F工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
* C% j& f! z8 R; [3 i- z9 Q8 r" m安装类型：底座安装
/ n4 f5 u) M  N7 u" v. \7 o! S  s封装/外壳：模块
! Z. x& O. R$ B- a% {/ C供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2
6 E( G  k! }9 }. r. e+ Y
( [1 g7 v  d. {" S. `" P

* ^, o, E8 Y3 J; s4 e4 Z3 @型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS03MR12A6MA1LB （供应和回收）
0 P' `! B* j& V4 [/ Q+ h封装：模块
说明：MOSFET - 阵列 6 N-沟道（3 相桥） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2。
明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS03MR12A6MA1LB。
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