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双向可控硅的泄放保护电路

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发表于 2022-8-25 11:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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为了防止双向可控硅在截止时,不被高电压击穿损坏,一般要在双向可控硅的两端并联RC吸收泄防回路,问题是,加了这个电路,又造成了交流导通。如图示。  这该如何解决?
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2#
发表于 2022-8-25 12:00 | 只看该作者
有什么影响么?L,N之间加X电容不也交流导通?

该用户从未签到

3#
发表于 2022-8-25 13:11 | 只看该作者
加snubber的都是大功耗负载,根本不在乎那点儿泄露。而在乎那点儿泄露的都是微功耗电路,不需要snubber。
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:08
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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-8-25 13:24 | 只看该作者
    把RC换成双向TVS

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-8-25 13:36 | 只看该作者
    电阻负载可以不要RC吸收回路
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