集成于射频芯片的LDO电路设计/仿真报告

RGB_lamp

第一部分 应用...................................................................................1
LDO 的分析与设计............................................................................................................................................ 1
  o$ h' j9 i2 {# W9 E- A& k( T) fLDO 芯片的特点................................................................................................................................................ 1
* w6 {1 `/ |- R3 w7 N4 TLDO 芯片的详细性能参数................................................................................................................................ 1
第二部分 电路设计报告...................................................................5
整体电路上电启动模块 ..................................................................................................................................... 5
3 @" l+ M2 G# r1 I电流偏置模块 ..................................................................................................................................................... 7
, _, Z! W' {* ]! i, n% z& |带有修调功能的基准模块 ................................................................................................................................11
带隙基准源的修调电路设计 ........................................................................................................................... 21
& l7 S! X9 a/ G预调整放大器模块 ........................................................................................................................................... 23
低通滤波器模块 ............................................................................................................................................... 27
0 t4 B+ w0 e% l% U- `6 h. ^6 s保护电路模块 ................................................................................................................................................... 31
& c4 Y4 x- U* V! F: u8 ~, c电压跟随器模块 ............................................................................................................................................... 39
" ?5 ]5 R' k5 Q( h1 D) |6 W  @第三部分 总体电路的仿真 ............................................................43
直流参数........................................................................................................................................................... 44
* @1 B8 p. K$ h, R线性调整率....................................................................................................................................................... 45
4 O- s# {' _4 v$ H; E负载调整率....................................................................................................................................................... 46
静态电流........................................................................................................................................................... 46
瞬态仿真........................................................................................................................................................... 47
噪声仿真........................................................................................................................................................... 48
交流特性仿真 ................................................................................................................................................... 49
PSRR 特性仿真 ................................................................................................................................................ 52
/ p6 A  D% T- L! [9 O: j第四部分 LDO 芯片版图设计.......................................................56
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1 {; w1 ^# g* S0 a9 s1 M第一部分 应用
1 B9 i. K  O* d) F8 DLDO 的分析与设计
+ Q% V$ E: v: t1 X' p8 ?; G本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计，并用cadence Spectre对设计的整体电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内集成。可在0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，电路正常工作时温度范围：-55℃~+125℃，该电路工作电压范围为2.1～3.6V，输出电压1.8V，输出电压在全范围的波动：≤4mV，输出电压准精度：≤10mV，最小压差在300mV以下，静态电流≤60uA；在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声积分约为，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA；电源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；线性调整率：≤0.1%；负载调整率：≤1%；启动时间：≤100us；电压瞬态响应：≤30us；负载瞬态响应：≤50us；输出启动电压过冲：≤100mV；集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过温保护以及输入软启动电路。
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- j3 o% O& d+ u- m1 M! ZLDO 芯片的特点
  ^2 }% e2 L% l/ ~# @/ _4 A●低静态电流
+ D% m& i7 x$ _. [) Q) A1 Z●0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，带载能力强
●在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声小
●高电源抑制比（PSRR，在100KHZ以下）
& I6 e) t6 Q8 q●可全片内集成
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LDO 芯片的详细性能参数
下面将集中讲述一下此次芯片电路设计应该满足的条件，以便于在电路设计过程中有一个总体的设计框架和设计思路。
衡量LDO的性能参数较多，下面介绍主要的几种性能参数。从对这些性能的分析过程中，可以看到各个性能之间不是独立的，性能和性能之间会相互影响和制约。因此，在设计时，要根据具体要求来具体分析。
( m7 u  @0 M4 V* p6 D* |/ v1）电压差(Dropout Voltage)
当输入电压下降时，输出电压不能再恒定在预定的值，这时的输入电压与预定的输出电压的差值就是电压差。在实际设计LDO时，为了达到更高的效率，常常希望电压差越小越好。一般通过增大功率调整管的尺寸，就可以使电压差减小。但是调整管尺寸的增大，会对稳定性、负载瞬态响应及电源抑制等性能有很大影响。因此，在设计时，需要根据具体要求来具体分析。
2）静态电流(Quiescent Current)
5 p* C# r% Q  b- J7 p静态电流也叫接地电流，是LDO内部电路所消耗的电流，等于输入电流与负载电流的差值"低的静态电流能提高LDO的效率，延长电池的使用时间。静态电流包括带隙基准电压源和误差放大器消耗的电流，及调整管通过采样电阻网络到地的漏电流。对于用MOS晶体管做功率调整管的LDO，由于MOS是电压控制器件，因此它的静态电流与负载电流无关。

dragongfly

发表的帖子，感觉很厉害，很棒

STGing

看一看，学习学习

瞪郜望源_21

不错不错，很是深度和地道，值得学习下