IMZ120R140M1H _ IMZ120R140M1HXKSA1（碳化硅MOSFET单管）

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IMZ120R140M1H _ IMZ120R140M1HXKSA1（碳化硅MOSFET单管）采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET

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/ F* p+ n- M/ n$ G" ^. Y6 S型号；IMZ120R140M1H _ IMZ120R140M1HXKSA1 （供应/求购）
1 |9 M: N; E' y. f8 |6 b封装：TO-247-4
类型：沟槽式碳化硅MOSFET单管
) ]9 [: p8 M0 ^规格：
2 {! D, d6 Z$ N) iFET 类型:N 通道
- y- Q( \8 H# I4 a6 j/ P6 i技术:SiCFET（碳化硅）
7 t6 \: l4 x; h; l$ P* t2 \漏源电压（Vdss）:1200 V
$ W0 o1 E9 V* ^: K" y; t- v9 Z) }1 a6 Y. x25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
8 S; o4 C; b! @- g驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:182 毫欧 @ 6A，18V
( P! \, E# v/ X2 D6 P不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:13 nC @ 18 V
Vgs（最大值）:+23V，-7V
' o5 v% ]" u1 Z' I9 F2 O, g0 p不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）：94W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
# x; Z& s8 v  Z; u( J安装类型：通孔
/ Q/ V( v) p! H% k供应商器件封装：PG-TO247-4-1
3 [4 u$ W1 I5 x* X封装/外壳：TO-247-4



应用：
不间断电源（UPS）
7 F. J6 G5 Q, V7 H; L5 s) n1 L电动汽车快速充电
太阳能系统解决方案

0 t/ L$ M8 W- ^; h

深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收型号：IMZ120R140M1H _ IMZ120R140M1HXKSA1。
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