供求 IMZA120R040M1H / IMZA120R040M1HXKSA1 [碳化硅MOSFET单管]

mingjiada

IMZA120R040M1H / IMZA120R040M1HXKSA1 采用TO247-4封装的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。


; S& W0 N/ F. {3 oIMZA120R040M1H / IMZA120R040M1HXKSA1：
, ]* b" ~4 ?5 _FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
- S( A: l$ J& g  O9 G漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：54.4 毫欧 @ 19.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 8.3mA
+ ^/ e* O( v" W  A. s4 U% g1 o不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
6 e; _1 S: }( S0 S2 q8 O不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1620 nF @ 25 V
4 |  D5 j- n  ^" I; x; x功率耗散（最大值）：227W（Tc）
/ H" m3 F% Z. Z7 [0 M. s工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4-8
: q% z; J9 g7 ]封装/外壳：TO-247-4

' E4 Z8 ~1 b; W  {, k' z5 y
1 I) g4 {: {( g8 ?
深圳市明佳达电子，星际金华公司 供求 IMZA120R040M1H / IMZA120R040M1HXKSA1。
- G% Z$ X3 M  w& T- r1 v; a有兴趣的朋友，请联系 QQ：1668527835
【供应】公司只做原装，库存器件，质量保证，价格方面由于浮动不一请以，请以当天报价为准！
$ H; P) v- P# e+ d( e1 ~2 c% {【回收】公司只需原装器件，不接受翻新和散新，器件须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
* E7 V( m5 F+ `4 ?- y2 X+ \回收具体流程：
1.您将积压的IC/模组库存进行简单分类，确定型号、品牌、生产日期、数量等。
2.请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队。
3.等待公司专业人士的采购报价，达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付。
5 [# a# C2 D  }3 X8 T6 j( c( r" j4.公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源。
: X& ]; K( g6 Q1 X( G- u" n