功率半导体国产使用比例提升，可选择品质优良的MOS管应用

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( z# s; A' z7 h逆变器有一个主要功能就是直交流变化功能，实现该功能的核心元件是功率半导体 （例如 IGBT 和 MOSFET）。自2021 年以来芯片、IGBT 产品出现紧缺状况，各大厂商均在提升使用国产 IGBT 的比例。其实对于功率半导体中的MOS管厂商都是在逐步提升国产MOS管替代使用比例了。
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5 q! y( e1 h& k尤其是逆变器厂家，在研发产品时一定要注意MOS管的选用，在国产替代的选择中，一定要选择质量优良的厂家。

对于市场中IRFZ44N场效应管是有常用于逆变器的，究竟要如何选择比较好的国产厂商进行替代呢？
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考虑优质的MOS管一定是具备众多特点的，比如适合逆变器使用的可内阻低、温升低、开关速度快等产品特点。
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, C& }4 A! q+ V4 V  V( [; B符合以上特点的优质国产MOS管，还能替代IRFZ44N场效应管的，我们一般优先推荐逆变器厂家使用FHP50N06型号。
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究竟为何推荐这一款50A、60V电流、电压MOS管的FHP50N06国产MOS管替代IRFZ44N场效应管在逆变器使用呢？
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) R& a0 g4 e8 A6 P除上述符合的特点外，这款优质FHP50N06国产场效应管还具备的产品参数有：50A、60V的电流、电压，RDS(on) = 12mΩ(typ) @vgs = 10 V，最高栅源电压@VGS =±25 V。
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FHP50N06为N沟道沟槽工艺MOS管，适用于电机调速电路、100W-12V输入的逆变器。对标其它场效应管品牌型号：IRFZ44N、STP60NF06、FQP50N06。

FHP50N06的封装形式除了TO-220，还有TO-252、TO-263两种形式。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：50A；BVdss（V）：60V。
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综合以上的产品参数，场效应管代换建议用飞虹国产型号：FHP50N06型号参数来替代IRFZ44N型号。

$ ^) i9 x! ~! y4 y) c- d/ Y1 Q' L3 R# ]( E60V、50A 的MOS管代换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于逆变器行业、电源电路、智能家居、新能源电子等领域，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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MOS管要选择优质的，选择时电流电压都要选择合适的

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