供求 IMZA120R014M1H（IMZA120R014M1HXKSA1）碳化硅MOSFET分立器件 - 晶体管

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供求 IMZA120R014M1H（IMZA120R014M1HXKSA1）碳化硅MOSFET分立器件 - 晶体管

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+ u+ \, b3 Z8 W4 H# I6 }( Q& p型号：IMZA120R014M1H / IMZA120R014M1HXKSA1
+ U# n" P# c% U) S封装：TO247-4
! _; p* M/ o% F; y1 I" @类型：碳化硅MOSFET分立器件 - 晶体管，采用 TO247-4 封装的 CoolSiC 1200 V、14 mΩ SiC Trench MOSFET。
说明：采用 TO247-4 封装的 CoolSiC 1200 V、14 mΩ SiC MOSFET 建立在最先进的沟槽半导体工艺之上，经过优化，将性能与可靠性相结合。 CoolSiC MOSFET 非常适用于硬开关和谐振开关拓扑，例如功率因数校正 (PFC) 电路、双向拓扑和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。
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规格：
2 U4 F1 L; L" D0 D$ }FET 类型：N 通道
" E5 u/ q  d" k技术：SiCFET（碳化硅）
; g+ a6 N. e( s/ i漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：127A（Tc）
# Z, e' C. G! ?9 y驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
+ t# q, ]  ^/ r" ]不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
: N+ ~( V/ h- \不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 23.4mA
6 M6 m" q! Z: G- P: f. }9 _不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4580 nF @ 25 V
功率耗散（最大值）：455W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  D6 q; V& ^: f$ V安装类型：通孔
, F0 ~* V' F/ V% V+ a供应商器件封装：PG-TO247-4-8
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【供应/求购】QQ：1668527835   明佳达电子www.hkmjd.com
; _) T. Z6 M, ^8 h1 P! c4 i( L0 H深圳市明佳达电子，星际金华公司 供求 IMZA120R014M1H（IMZA120R014M1HXKSA1）碳化硅MOSFET分立器件 - 晶体管。
9 @8 N+ l% i7 c' ]2 B5 m【供应】公司只做原装，质量保证，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！
【求购】公司也有回收以上器件，只需原装，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

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7 y' f, M& u% ?# ?" X) [7 l. U特征：
一流的开关和传导损耗
& L( j; `8 F# S* W+ h基准高阈值电压，Vth > 4 V
0V 关断栅极电压，实现简单的栅极驱动
宽栅源电压范围
坚固且低损耗的体二极管，额定用于硬换向
, {: U* j8 R6 P" L( z7 {1 W与温度无关的关断开关损耗
4 H) a/ \' ]7 V) x$ K; @' AXT 互连技术可实现一流的热性能


+ R4 ]7 }* @: z4 w9 m1 a2 k% ^* ]! P优势：
最高效率
减少冷却工作
& K0 h& A3 ]3 q3 l/ q6 d更高频率的操作
增加功率密度
降低系统复杂性

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