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/ j1 L. L g% y) M) P! O1.线形光耦介绍
1 A- Q5 Q0 Y3 R# j( W' h 光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如 UART 协议的 20mA 电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限制了其在模拟信号隔离的应用。
3 x4 E( G7 ?( K( Y, Q O( l, H: w 对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如 ADI 的 AD202,能够提供从直流到几 K 的频率内提供 0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压 - 频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率 - 电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。7 U1 O5 i% B8 y
模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。: p1 w( y. x7 s
市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如 Agilent 公司的 HCNR200/201,ti 子公司 TOAS 的 TIL300,CLARE 的 LOC111 等。这里以 HCNR200/201 为例介绍。
- Y6 h* b# |* U5 E* P2. 芯片介绍与原理说明" O0 y1 A* j2 C3 i/ ?2 ~& a' M
HCNR200/201 的内部框图如下所示' n; D0 n4 S# v) Q1 _7 h& v( {
: m! ]& M" S" y3 |/ ^ 其中 1、2 引作为隔离信号的输入,3、4 引脚用于反馈,5、6 引脚用于输出。1、2 引脚之间的电流记作 IF,3、4 引脚之间和 5、6 引脚之间的电流分别记作 IPD1 和 IPD2。输入信号经过电压 - 电流转化,电压的变化体现在电流 IF 上,IPD1 和 IPD2 基本与 IF 成线性关系,线性系数分别记为 K1 和 K2,即* }! ~3 x3 B* w$ M5 f7 I
; g; D# m) k8 ~" }5 [' K8 m
, W* ?; p0 ~0 l* R$ _
K1 与 K2 一般很小(HCNR200 是 0.50%),并且随温度变化较大(HCNR200 的变化范围在 0.25%到 0.75%之间),但芯片的设计使得 K1 和 K2 相等。在后面可以看到,在合理的外围电路设计中,真正影响输出 / 输入比值的是二者的比值 K3,线性光耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。7 y7 V1 I" P8 [1 f2 L2 k( T
HCNR200 和 HCNR201 的内部结构完全相同,差别在于一些指标上。相对于 HCNR200,HCNR201 提供更高的线性度。) M! }( S: A6 N8 p; C
采用 HCNR200/201 进行隔离的一些指标如下所示:
% g% p w/ [2 X3 M( L F! l w* 线性度:HCNR200:0.25%,HCNR201:0.05%;
6 S9 V! C2 @4 w; b/ O! w4 J* 线性系数 K3:HCNR200:15%,HCNR201:5%;" q, d9 p/ j6 J5 m7 s% w9 K {
* 温度系数:-65ppm/oC;+ S. E# D5 {5 F6 z8 U
* 隔离电压:1414V;9 g& \! D# Y+ v2 | a7 x* ~
* 信号带宽:直流到大于 1MHz。6 y% i7 y7 k$ q! K0 @9 U
从上面可以看出,和普通光耦一样,线性光耦真正隔离的是电流,要想真正隔离电压,需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。下面对 HCNR200/201 的典型电路进行分析,对电路中如何实现反馈以及电流 - 电压、电压 - 电流转换进行推导与说明。9 v9 ^: C* `# L
3. 典型电路分析3 _7 n) \1 h, l4 X- [ i2 k
Agilent 公司的 HCNR200/201 的手册上给出了多种实用电路,其中较为典型的一种如下图所示:8 j8 g3 |6 C! D1 h
w6 N& \7 i3 r! g- r4 x- O7 K! b
( S+ I. ]5 _& ]6 G7 S. ~
设输入端电压为 Vin,输出端电压为 Vout,光耦保证的两个电流传递系数分别为 K1、K2,显然,,和之间的关系取决于和之间的关系。
! C7 W2 E0 ^. n4 J q% T将前级运放的电路提出来看,如下图所示:3 y9 j& B0 h4 i% ]$ V
+ G, ^# C7 m% ?6 @7 B- t
. L: G. x2 g# [3 Q+ S7 j
设运放负端的电压为,运放输出端的电压为,在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系:& W2 O: d! N, O% p; f
Vo=Voo-GVi (1)# c* p2 ?, [: I3 n2 Y( f+ g
其中是在运放输入差模为 0 时的输出电压,G 为运放的增益,一般比较大。: H2 f' q, N; h$ O+ e |
忽略运放负端的输入电流,可以认为通过 R1 的电流为 IP1,根据 R1 的欧姆定律得:
% E/ t- K! {& u% }4 n1 k. ?3 {* p$ B q3 G: Q9 n
8 m. b' {0 r3 [ r( F# W; C0 B$ `$ n, `通过 R3 两端的电流为 IF,根据欧姆定律得:
3 D8 O: d( H* Y
$ C/ Y3 r$ }5 _8 E$ K
5 L5 N" ]" g) a+ ]' \其中,为光耦 2 脚的电压,考虑到 LED 导通时的电压基本不变,这里的作为常数对待。
* ?* S2 }. {' F9 Y5 J2 E根据光耦的特性,即6 T7 h/ u o% c1 i
K1=IP1/IF (4), S2 C6 ~- C8 n+ H; I
将和的表达式代入上式,可得:
5 o8 L e. }- l% g8 D7 ^) r; h& n
* B6 n, F. c# f3 u7 z) G
9 T5 f$ Q! ^( N6 \" o- z上式经变形可得到:
* s0 N1 W; G! L& ^* S
& x9 F/ p* T/ b! G5 `
3 e( [; C7 M7 R! f9 Q* o将的表达式代入(3)式可得:" @+ R' [* b$ E& y2 n6 v( b
: t9 r$ w/ g6 d+ O( T
$ g; }. {6 {4 ~% C, r考虑到 G 特别大,则可以做以下近似:
* t: }6 b; G/ W( v, x/ c' e' M. }! T" E8 ~6 Q- t' C
+ }6 h3 U+ \% [! Q
这样,输出与输入电压的关系如下:' Y, v8 n1 R8 y5 B$ v
9 v7 ~1 y2 q6 D6 V! w# o- W: P
2 Q U9 G* m' r8 M7 U7 o
可见,在上述电路中,输出和输入成正比,并且比例系数只由 K3 和 R1、R2 确定。一般选 R1=R2,达到只隔离不放大的目的。2 z! v8 C0 s# l7 U9 E( D
4. 辅助电路与参数确定- q7 W% S3 W8 l E! h5 P5 C
上面的推导都是假定所有电路都是工作在线性范围内的,要想做到这一点需要对运放进行合理选型,并且确定电阻的阻值。6 T, w: _; V9 J" D5 l; ~
4.1 运放选型* F. t7 w U- c7 u- L- i: C" R2 X
运放可以是单电源供电或正负电源供电,上面给出的是单电源供电的例子。为了能使输入范围能够从 0 到 VCC,需要运放能够满摆幅工作,另外,运放的工作速度、压摆率不会影响整个电路的性能。TI 公司的 LMV321 单运放电路能够满足以上要求,可以作为 HCNR200/201 的外围电路。
# u0 o* p# E5 K% y8 }4.2 阻值确定
2 Q9 h+ P0 W5 I- L* \6 o2 `0 a 电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的最大工作电流 IFmax。K1 已知的情况下,IFmax 又确定了 IPD1 的最大值 IPD1max,这样,由于 Vo 的范围最小可以为 0,这样,由于考虑到 IFmax 大有利于能量的传输,这样,一般取最大值。
$ }/ n! o) R- T; Q" Z M2 g 另外,由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性,因此,考虑 IPD1 的限制,这样,R2 的确定可以根据所需要的放大倍数确定,例如如果不需要放大,只需将 R2=R1 即可。3 {/ F! t6 B) W8 ?4 @0 X
另外由于光耦会产生一些高频的噪声,通常在 R2 处并联电容,构成低通滤波器,具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。
5 f( T$ ^& x: |, q4.3 参数确定实例5 Y- B, d9 E+ r7 ]
假设确定 Vcc=5V,输入在 0-4V 之间,输出等于输入,采用 LMV321 运放芯片以及上面电路,下面给出参数确定的过程。
5 T& c9 A8 J- p7 G+ E1 q, ?* 确定 IFmax:HCNR200/201 的手册上推荐器件工作的 25mA 左右;5 G: ~$ L! l0 E7 m9 ~! r7 [" @+ D
* 确定 R3:R3=5V/25mA=200;0 O* q3 Z) a/ e- M: F
* 确定 R1:;# o: N' w1 K$ z. v4 [% }, R
* 确定 R2:R2=R1=32K。
5 R6 N8 H% Z, X1 G2 O- j5. 总结; m, o6 W* u# d/ R0 v
本文给出了线性光耦的简单介绍以及电路设计、参数选择等使用中的注意事项与参考设计,并对电路的设计方法给出相应的推导与解释,供广大电子工程师参考。 |
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