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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。) F5 F. c: C1 D
$ x' x$ K8 n3 v1 W, E9 K# p2 Y
60N10参数描述
  l2 M& g  {- Z& L型号:60N10
6 T: a. F- s9 m4 M# N封装:TO-263# N1 B; H. t" b
特性:大功率MOS管
5 P+ P& O- Y8 x2 a- ]+ s电性参数:60A 100V3 M- k! u$ k* l: L
栅极阈值电压VGS(TH):4V
# q, c7 r7 ?/ ]# r7 f3 B# l" o/ E连续漏极电流(ID):60A# m% N3 J' M; V/ {9 @2 u
功耗(PD):160W, k6 @7 S  w1 S4 L- w) F9 |0 {
二极管正向电压(VSD):1.2V
5 P! {( k- e& j$ t" L- F静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
* S  C( e0 p. z% W; K' P3 W零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA8 T0 x* y- v" Q
反向恢复时间(trr):35nS
0 g0 j; F+ U3 g5 j输出电容(Coss):182.5pF" c1 c) |6 O) K" x$ P5 {7 h# o3 S
贮存温度:-55~+175℃3 ], m* `; E4 t8 V/ @/ \
引线数量:3
( |6 A9 i, f6 `% [ , g! h4 @- D1 j4 D. w/ R/ ]- \
大功率MOS管60N10的检测方法:" c1 ?3 \- e2 d
1、准备* b% V/ g* b0 y; ?3 h: i
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。! `3 t& S& f* I* j2 h
( y, }. ?# J& _) U& L# D% g
2、判断电极
- h0 `3 ~& g  F7 j7 c. E万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。8 q0 Y$ b/ l5 Q" i2 E

) W% V" s; b: b' }3、检查放大能力(跨导)
! M1 h# ]4 ~" J, S将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。4 A/ v& h# v+ l, S8 ~  \. k
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。$ Q. t4 J, k+ H1 L- d

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2#
发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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