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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。/ I( ~: b9 {, m* Z, D% f# W
: ]* m. z% j0 }# o; p, ^60N10参数描述: Y4 m$ R/ V- I* O2 k# h; B
型号:60N10
* W. A @% K* l+ q" W( P7 V7 G8 p/ R封装:TO-263
6 n2 B* g1 R$ w* F1 H. M9 |) K O" o特性:大功率MOS管
Z+ B! Z" c: O& P电性参数:60A 100V! z- f' U- S* N' ^" U3 m8 Y& B
栅极阈值电压VGS(TH):4V
' }+ y; W! F p i8 ?) ?9 {连续漏极电流(ID):60A
2 K% j3 Q. O4 R, Y功耗(PD):160W
$ d* k6 A: H W! o3 A二极管正向电压(VSD):1.2V
4 y' q) C; O4 l4 L! g4 _3 v静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ2 Y; ]( K# e$ ?' |7 X
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA( N k) h, y# y9 _
反向恢复时间(trr):35nS) a4 D4 o# |5 X' @1 g5 p
输出电容(Coss):182.5pF
$ { s( `8 b' J, _- ~. l- l" @贮存温度:-55~+175℃
# A. C/ L1 H% K" X* }$ H* A* l; ], s0 {. A引线数量:3
/ X8 K. w7 x& ~$ E/ W
- a1 x3 K3 h2 W9 E8 Z
大功率MOS管60N10的检测方法:. S- i @2 S1 t3 {
1、准备' u* L, O- k; s" o$ D% ?0 V
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。0 Y# n+ ^5 S# y8 u; P1 }
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2、判断电极/ n1 z6 R. i& X! L3 ]
将万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。
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/ N0 B5 d& l9 N# ]0 u% u3、检查放大能力(跨导)7 c$ A1 @% G2 v: b
将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。
3 G4 O( B2 H A目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。
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