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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。& @+ c0 \* c$ Z% I" P- M
6 a: y/ t$ @7 y5 F3 _
60N10参数描述
4 A4 e( J  W% e; E; o( f; R型号:60N10
: T2 b" W8 X4 M. y0 i# F封装:TO-263. |( c( N  O/ H0 S% r4 Q
特性:大功率MOS管- z3 }3 t1 ^% J$ k
电性参数:60A 100V, m) \( }+ {: I3 X( V: ?( k
栅极阈值电压VGS(TH):4V* a- k; ~, u, Z% [
连续漏极电流(ID):60A
. V. E1 z5 `  N4 v功耗(PD):160W# F7 o$ K+ a6 r1 V# j! h
二极管正向电压(VSD):1.2V
; a  v$ ]. e) F. G% X静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
, ~4 y9 p4 T% F2 n2 t零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
" d, d7 M/ h5 l2 r$ w反向恢复时间(trr):35nS! s4 Z- H, m. ?7 ?  m3 ^# V
输出电容(Coss):182.5pF; h: l6 e- K  b8 Y. x( g  r
贮存温度:-55~+175℃
0 Y; @5 K$ y0 f% W) {1 L; O6 C3 l引线数量:37 ~: ^4 I# Q3 v7 {+ x' n$ R3 @% d
/ @1 b3 x8 ^9 y. _8 w" @
大功率MOS管60N10的检测方法:
0 W$ y& x- H4 v) J1、准备- L$ J8 ^' T: K& \
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
% L. f1 {7 H9 R' D1 |6 t4 L/ ^
2、判断电极( B. n( \6 ~" r2 b
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。( }- R% P! ?. w8 ]
0 c4 _" W) d  W! B
3、检查放大能力(跨导)! v2 I; t2 ^# d8 o% v4 `0 [
将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。" c1 ]3 {2 b1 T1 B5 v
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。5 }/ e( q4 t( v* s

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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