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IGBT的主要优点有

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发表于 2022-6-20 11:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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① IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量。2 a8 j1 Z, ~7 Z9 d7 o0 ~( f
② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。1 a! N; s) a0 s8 Y' J4 z
③ 较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。
/ {+ k( ]1 b! _) ^  U6 b④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
# b; a' R8 F. D1 p⑤ 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。1 @/ {! X- |- h
⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n+层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻。5 o- k3 k6 B6 m0 |
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-2 15:15
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-6-20 13:15 | 只看该作者
    优点:损耗低,驱功电流相比可控硅要低.缺点:与场效应管一样易坏,价钱高.
    # h1 ?* ^( b: |  Y+ q3 [+ H

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    3#
    发表于 2022-6-20 13:30 | 只看该作者
    IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构,这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制(采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响)。# ]  b4 M1 L0 @  V

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    4#
    发表于 2022-6-20 13:51 | 只看该作者
    因为IGBT工作时,其漏极区(p+区)将要向漂移区(n-区)注入少数载流子——空穴,则在漂移区中存储有少数载流子电荷;当IGBT关断(栅极电压降为0)时,这些存储的电荷不能立即去掉,从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断,即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长(10~50ms)。, d: K9 T2 @8 ]3 F" }  h
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