IGBT的主要优点有

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① IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。
② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
9 B- F% X* m/ H* x: l1 i0 }1 X9 K③ 较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。
$ J1 r  \$ s7 f9 I④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
& B- B( x3 c- X5 M⑤ 与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。
& ~: _3 ]! i, S9 |# H$ V⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域（即再加进几个n+层），这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用，则还可进一步减小器件的导通电阻。

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优点:损耗低,驱功电流相比可控硅要低.缺点:与场效应管一样易坏,价钱高.
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IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。

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因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。