① IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量。$ v% U# |# h8 M" i
② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。 2 A! L' W. S0 U( y; F% R# t' t9 \/ V③ 较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。2 }: q; T5 i( M U
④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。% G( v' o4 s5 C" J. I
⑤ 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。 5 E! h { x4 k: Y⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n+层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻。9 N0 k# s5 E4 r8 R+ M