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IGBT的主要优点有

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发表于 2022-6-20 11:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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① IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量。) |- V( h* Q# |4 ^3 R
② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。  n8 ^, Q( N, r3 y
③ 较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。
4 C( K3 N9 ]3 t1 S& [④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
7 p& l! j1 r, Q$ t⑤ 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。
; O6 _$ k5 n: a0 k+ B" T⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n+层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻。- @# a# p7 H* r" T& C
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-2 15:15
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-6-20 13:15 | 只看该作者
    优点:损耗低,驱功电流相比可控硅要低.缺点:与场效应管一样易坏,价钱高.
    1 Q7 ^! }, }3 g

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    3#
    发表于 2022-6-20 13:30 | 只看该作者
    IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构,这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制(采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响)。0 L1 o- w5 P) ]9 e9 D# x  L0 L; s

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    4#
    发表于 2022-6-20 13:51 | 只看该作者
    因为IGBT工作时,其漏极区(p+区)将要向漂移区(n-区)注入少数载流子——空穴,则在漂移区中存储有少数载流子电荷;当IGBT关断(栅极电压降为0)时,这些存储的电荷不能立即去掉,从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断,即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长(10~50ms)。
    , r1 C/ t4 x% S- T% A2 e
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