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IGBT的主要优点有

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发表于 2022-6-20 11:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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① IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量。
# u5 d7 c& F' d' q& F② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
4 E  L: s4 {4 [/ v③ 较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。
+ P. X" o% J) o1 x7 P2 p④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
: V$ m2 h, n% [7 m$ r- ?1 O⑤ 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。
8 U# m' j+ K6 {) t7 B⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n+层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻。8 h3 P! m( A4 i1 b8 n0 \" y3 S
  • TA的每日心情
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    2023-6-2 15:15
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-6-20 13:15 | 只看该作者
    优点:损耗低,驱功电流相比可控硅要低.缺点:与场效应管一样易坏,价钱高.9 X% C; f% v3 z/ ^

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    3#
    发表于 2022-6-20 13:30 | 只看该作者
    IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构,这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制(采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响)。$ K2 E* e3 m- b  R* S. y( d& e, B

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    4#
    发表于 2022-6-20 13:51 | 只看该作者
    因为IGBT工作时,其漏极区(p+区)将要向漂移区(n-区)注入少数载流子——空穴,则在漂移区中存储有少数载流子电荷;当IGBT关断(栅极电压降为0)时,这些存储的电荷不能立即去掉,从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断,即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长(10~50ms)。" C$ }" i0 e1 M
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