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求助,MOS管驱动电阻有关的关断速度问题

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-6-10 10:23 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    下图中R20、R21、R23和R22是驱动电阻,也起到降低MOS关断速度的作用,9 v4 A! i$ w; k2 |5 ^, \/ {
    该电阻取2.2k有没有问题?D4D5D6D7二极管选择,对MOS的关断速度有什么影响?# _7 r/ _4 O& h1 x6 F% O
    4 q; G! ^- ^, g
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-6-10 13:10 | 只看该作者
    那要看你的MOS管开关动作频率是多少。如果开关频率比较低,例如为1kHz,此电阻可以用得比较大。如果开关频率为数十kHz,此电阻就要用得较小一些。
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    开心
    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-6-10 13:24 | 只看该作者
    驱动电阻关系到关断速度,也与EMI有关
    - T2 S/ N9 {* A- @- L' g" q关的快了,EMI不好通过
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    开心
    2022-1-29 15:03
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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-6-10 13:32 | 只看该作者

    栅极电阻计算与MOS管参数,PWM工作频率或上升时间要求,还有分布参数有关,一般十几Ω到几十Ω,100Ω以下


    ) K7 ~: C+ s. r% C' v+ @9 |% w
  • TA的每日心情
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    2024-3-25 15:52
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    [LV.6]常住居民II

    5#
    发表于 2022-6-10 13:46 | 只看该作者
    D4D5D6D7画的位置不对,阳极接MOS栅极,在串个小电阻
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