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一、FET-G2LD-C核心板体验* I. q8 e- @# U* \4 C9 M
先介绍下核心板的基础配置:# j. C$ n& m5 M8 ]5 {3 s0 p
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CPU:RZ/G2L
: j8 w6 _' ^% r: \双核ARM® Cortex®-A55 @ 1.2GHz6 j% n8 c# b- Z6 d. @7 r
单核Arm® Cortex®-M33 @ 200MHz
- A3 J; F& F" O8 B! kGPU:Arm® MaliTM-G31 @ 500MHz- i& t$ H, ~4 o" w" E9 d) Z, \
内存:ddr4-1600(当前版本为2GB大小)
: [: M& A+ F: o ~# f4 Q" N存储:eMMC(16GB)+QSPI Flash(16MB). l Z, A' {) d! k- m! w% U( {
电源:集成式电源芯片
7 E8 Y) ?/ {; g* [: ]与底板连接方式:超薄连接器9 z4 [6 N* J; o% n, T7 F
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FET-G2LD-C核心板基于瑞萨高性能、超高效处理器 RZ/G2L设计开发, 其采用多核异构,搭载Cortex-A55内核,运行频率高达1.2GHz;并集成Cortex-M33 mcu内核,主频达200MHz。 FET-G2LD-C核心板配备500MHz GPU Mali-G31及多种显示接口,功能接口资源丰富,支持多路UART、Ethernet、CAN-FD等, 适用于工业、医疗、电力、交通等多种行业和各类泛工业应用场景。
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FET-G2LD-C核心板正、反面实物图
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8 w- n: {* e6 H, G% ^FET-G2LD-C核心板正、反面尺寸图) y" Q* K) A" h$ s
( S: f6 s% b5 \9 T+ w, k( ~9 W得益于集成式的电源方案,整个核心板尺寸可以控制得非常小,仅有60mm x 38mm。在板对板超薄连接器的加持下,核心板到底板最高的部分(电感)距底板表面仅有5.6mm。适用于对空间要求苛刻的应用场景。核心板采用沉金加树脂塞孔的工艺,大大提升了焊接的可靠性以及稳定性。并采用无铅工艺,符合环保要求。同时,对信号完整性以及电源完整性进行了严格把控,通过仿真,为系统稳定运行提供理论依据;核心板的4个角预留固定孔位,以应对高强度震动场景;此外还具有更为人性化的防呆设计。% O5 e/ M& O, i. {4 J
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二、RZ/G2L核心板稳定性测试5 v' r. \+ m3 {$ H- a
1. 电源稳定性测试:
' |7 V" P, y! K, N" y. s为了测试电源的稳定性,飞凌将RZ/G2L核心板调到满载,通过示波器抓取各个测试点的波形:
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8 w2 |* c3 b3 }. ^- U# L& }7 Q核心板TP1波形" j6 ~0 `( H. J8 f. t& s
& J) S* M+ y6 D* F. C6 m M0 v![]()
! C4 B0 M6 c! O- V% a q核心板TP2波形
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$ U# J1 F+ ]# w' Z7 h核心板TP3波形$ W. Q7 t4 B# ~' x, o
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核心板TP4波形9 z7 [. `! @$ A, O+ s+ H6 W8 `, b. v
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+ R9 q% y% U9 Y0 g/ S核心板TP5波形! W, f J0 X3 `8 b$ O
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) E0 ]5 }/ F" T; {) ^2 t- k. r4 o核心板TP6波形: b) }" j3 Y ]7 P
4 |0 B" w: ~1 o$ V p& ]7 H
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' Q& `$ E' l4 }- b, _+ N核心板TP7波形
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核心板TP9波形
7 J/ t3 Z' X+ K# r2 m9 E; u
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B0 x/ }% k6 o- n核心板TP10波形+ I+ E+ T9 t8 n! x9 m5 l9 z
3 Q! ?& i8 Z! b( R; T B
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5 {* X0 N; ]6 w9 R! n核心板TP11波形
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4 |; S6 R8 I& M5 w5 v L
三、内存压力测试:
1 h. r) t& h, d* V) E7 m8 n2 c FET-G2LD-C核心板内存压力测试的结果如下图所示。5 H6 u, _/ ^; v& {" ^9 P
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) L. W9 W/ _! k: S3 F
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内存压力测试的结果* I! n5 V. S$ C; q; ?* v" n
可以看出在满载压力测试中FET-G2LD-C核心板表现优秀。
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, V) _, }; u6 R% f0 p/ Q( J四、RZ/G2L 开发板初体验' H! T3 F0 C% ]4 u; Z, i- ?: I
飞凌嵌入式RZ / G2L 核心板配套开发板的底板布局紧凑,尺寸仅150mm x 130mm。但是接口非常丰富,有双千兆网口、双USB2.0、USB OTG、TF、双路CAN-FD、rs485、MIPI-CSI、MIPI-DSI、音频耳机输出、音频喇叭输出、音频MIC输入、ADC等接口,板载WIFI&BT模块,预留MIPI PCIe的4G模块插槽。' j6 S0 x* l5 Q# J$ r. Y$ \
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外围接口有相应的防护电路,各个接口排布靠近板边,方便用户自己制作外壳或放置到机箱使用。
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2 ^- d4 U/ v! F) s/ M1 o1 X底板尺寸图$ q7 r: h" r, A9 m$ c2 V
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1、开发板功耗测试+ J; c2 G5 B4 S# v; e) F: ^# K, M5 _
l! ], Y: R/ m& s& }. i很多小伙伴对FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板的功耗比较关心,因此小编针对RZ/G2L系列整套开发板和单独核心板分别进行了初步的功耗测试,测试结果如下图所示:
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核心板在满载状态下,功耗仅为1.8w。得益于如此低的功耗,FET-G2LD-C核心板可以采用无风扇、无散热片的设计(注:核心板处于空气流动良好的环境中,如果是密闭的环境则需要具体情况具体评估)。1 B" e4 q) w2 a& x' O9 E0 G3 f% F
" k! q+ p+ D; N }$ i9 O2、开发板启动测试8 h( h$ Z- P: m& W: Q' t
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OK-G2LD-C开发板支持TF卡烧写,支持SCIF和Flash启动(暂不支持eMMC启动),底板拨码旁边的丝印就是不同状态时的拨码位置,可直接按照丝印进行拨码。如下图所示拨码开关为Flash启动:
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. \+ \/ ~1 Q' L" s% k; C0 gFET-G2LD-C核心板及配套开发板& @" o5 Z0 b7 `& O1 C
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