我们常说的MOS管的导通阻抗是指什么状态下的

unfaithful2021 · 发表于 2022-6-6 13:33

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通常我们都会说，NMOS的导通阻抗小，只有几十mohm，PMOS的导通阻抗大，有100mohm多；
那么想问一下，MOS管的三个工作状态：截止区、饱和区、可变电阻区；
这个我们此时说的导通阻抗，是指的MOS管的什么区？

whatever_ · 发表于 2022-6-6 14:45

顾名思义，当然是导通状下的。

I_believe · 发表于 2022-6-6 15:08

rds(on) 是在vgs=10V下测的。
这要看mos管的测试电路。
不过参考图示仪的电路，应该是个共源电路。
饱不饱和，取决于漏极上面的电阻。
是不是可变电阻区，取决于vds的电压。

duhe3hfu · 发表于 2022-6-6 15:58

开关电路，MOS管工作在截至区和饱和区（忽略过渡过程）
模拟电路，MOS管工作在可变电阻区

we_happiness · 发表于 2022-6-6 15:59

看数据手册中关于 Rds(on) 的数值就知道，Rds(on)的大小与Vgs有关，这不正是变阻区的性质嘛

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