三星内存KM3P6001CM-B517数据手册/datasheet

Dollche

KM3P6001CM-B517是一种多芯片封装存储器，结合了64GB EMMC和48Gb（16Gb * 3）TDP LPDDR4X SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用行业标准MMC协议v5.1进行的简单读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域（VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VCCQ）。三星eMMC支持HS400以提高顺序带宽，尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用，因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离，因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL（闪存过渡层）可管理损耗均衡，坏块管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能，并实现最佳性能。

5 L7 }& b5 ^$ I2 B7 G0 y$ d# D; wKM3P6001CM-B517原理框图：

* g! y( G6 q4 L; s
, l/ {: o0 y# K4 x/ p- `特点：
1、eMMC
4 S: N- W8 [7 A0 n0 l! K嵌入式MultimediaCard版本。 5.1兼容。
SAMSUNG eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能。
; {. k4 k. l/ F% r$ u& X2 i-主要支持的功能：HS400，现场固件更新，缓存，命令队列，增强的选通模式，安全写保护，分区类型。
-不支持的功能：大扇区大小（4KB）。
与以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，multi-eMMC系统）向后兼容。
* \/ ~5 j$ @! x$ X3 p  M; ?( y: @数据总线宽度：1位（默认），4位和8位。
8 q' n. Q" `4 f# w$ dMMC I / F时钟频率：0〜200MHz; MMC I / F引导频率：0〜52MHz
/ m- i9 N0 b) Z" z$ _; ~! ?电源：接口电源→VCCQ（1.70V〜1.95V），存储器电源→VCC（2.7V〜3.6V）
& \0 A8 X( d( {
2、LPDDR4X SDRAM
•双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输
7 y" K$ u' l, Z' A9 {6 R9 i+ d5 ?' }•双向数据选通（DQS_t，DQS_c），与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
•差分时钟输入（CK_t和CK_c）
•差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
•命令和地址输入正CK边沿；数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
•每个芯片2通道组成
•每个渠道8个内部银行
•DMI引脚：正常的读写操作时为DBI（数据总线反转），DBI关闭时为掩蔽写入的数据掩码（DM）； DBI开启时为掩蔽写入计数DQ 1的数量
/ Y8 _7 W5 o: }•突发长度：16、32（OTF）
4 ]8 r- @2 v1 E•突发类型：顺序
/ d) r) o' t4 t* C2 N•读写延迟：请参阅表65 LPDDR4X AC时序表
•每个突发访问都有自动预充电选项
•可配置的驱动强度
•刷新和自我刷新模式
•部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
, `% W' k- _: j+ k- @•写作练级
•CA校准
% Y( H' Q2 v5 z•内部VREF和VREF培训
4 n' S; q: h3 {5 C•基于FIFO的读/写训练
. y2 N: [  V) a3 T# ~' f•MPC（多用途命令）
0 m; z  y" O+ J' j( P6 o; G" [•LVSTLE（低电压摆幅端接逻辑扩展）IO
•VDD1 / VDD2 / VDDQ：1.8V / 1.1V / 0.6V
•VSSQ端接
•没有DLL：CK至DQS不同步
. L, o4 d9 A7 o* {  [% P+ N•边缘对齐的数据输出，数据输入中心对齐的写训练刷新率：3.9us
7 l) r* z+ h  d
, f* c3 B+ S7 N4 A7 _! |+ P引脚配置：
0 A* O! z8 \2 h* z

nolita

只能使用3V的供电电压吗
% w3 S3 H3 U! i2 m$ X$ V. B

STGing

(～￣▽￣)～硬盘颗粒。