MOS管VGS(th)的疑问

duhe3hfu

下面两张图片是MOS管IRF530N的VGS(th)参数。第一张图片是开启电压VGS(th)在测试条件VDS=VGS和 ID=250uA下的范围为2~4V。

第二章图片是VGS的最大值允许范围。所以可以得出这样的结论，对于NMOS管，GS两端电压只要≥2V就可以开启了，≤20V就可以保证GS两端不被高电压损坏了。那么我的疑问是：

第一幅图片中的VGS(th)=4V有啥作用呢？我选型，从来不关注VGS(th)(@VDS=VGS, ID=250uA)的上限值。请各位大侠指导，谢谢！

9 M) A0 Q; e4 V( b

we_happiness

测试条件VDS=VGS和 ID=250uA下的范围为2~4V。对某一管子来说当GS两端电压达到2V时未必漏极电流一定可以达到250uA。对任意一个管子来说，GS两端电压在2～4V之间漏极电流达到250uA都算合格，超出这个范围则不合格。

dream123

第一幅图片中的第一幅图片中的VGS(th)=4V有啥作用呢？
# I1 c) y: E' Y- B/ }在规定的测试条件下（VDS=VGS,ID=250uA） ，VGS(th)=2V~4V ，也就是在2到4V间，都是正常的，否则管子不合格。