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射频集成电路在什么样的工艺上实现呢?

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发表于 2022-4-28 09:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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射频集成电路在什么样的工艺上实现呢?" O2 Y1 G' h/ I% |9 @1 r

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2#
发表于 2022-4-28 10:35 | 只看该作者
随着射频电路工艺的发展,特征尺寸逐渐减小。
" w" B- g5 O% F; W  G

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3#
发表于 2022-4-28 11:16 | 只看该作者
普遍倾向于采用CMOS工艺来实现,最重要的原因是它很便宜,可以把射频、数据处理部分等都集成在一起,这样手机可以高度集成,体积减小,而且非常便宜。但CMOS特征尺寸越小,射频电路的设计难度也越高。3 H- D8 I8 \6 c* \

  @# ?5 z. L: d3 q+ e- O8 g& ~* k3 b) o

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4#
发表于 2022-4-28 13:38 | 只看该作者
射频的尺寸和波长是相比拟的,工作频率越高,波长越短,所需要的天线尺寸越小。
7 o0 Z% D6 w1 j' M

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5#
发表于 2022-4-28 14:16 | 只看该作者
再看看别人是怎么说的
) D& k0 y" d% p' Y1 |: h: _, e- l

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6#
发表于 2022-5-1 22:04 | 只看该作者
很多在CMOS工艺上实现
  [$ T/ Z& i* A! S$ n& y3 v5 ~
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