PMOS作电源开关，开通瞬间前级电源电压跌落。

dream123

现象描述：
1 _. f- P+ }( r1 }( j9 c1.MOS管打开时，会使前级电源VCC电压跌落。VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起，减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉，请问有无改进办法？
! [& `1 A6 {+ r. U! F. G$ b2.图1和图2   G级电阻位置不同对电路有没有影响，或者说哪个更好一点。

) G! i7 D1 W/ x0 R( w

DING

12的规定发给发广告

DING

这上个图画的还有得进步啊

replace

1000uF与MOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻，视需求选择。
进一步可在MOS管S丶G间并联电容，形成缓慢启动，让输出大电容慢慢充电。

qian211111

前级电源VCC除了R1支路和Q1支路外还有没有其他负载？如果有，你要把对电压敏感的器件放在同一路，在这路上加串一个二极管，并一个大电容。如没有其他负载，你只要在R1上面加个二极管并一个大电容。电容大小要根据需要来定。

someone

控制MOS管电流就可以

没有星星的夜空

可以在MOS管栅极增加对地电容，减缓MOS管的导通速度

qinxg

用后一种, 把R4加大些, 减慢MOS导通速度

guojin

PMOS缓启动电路，SG电极之间加电阻电容,根据实际的测试情况调整C1\R2的值，上电瞬间冲击电流过大，就加大C1/R2的值

lanyun1981

这上个图画的还有得进步啊

超級狗

VCC_3G 如果指的是射頻 3G 模組的電源，這東西是吃電怪獸。
: K' n' y, v. h0 J+ g( c; z
以前我們在養雞場，至少都得放上 100uF x 3 來解決給電瞬間掉電問題。
) h" r! k/ K9 X" q

! j+ s" m; B# P: g
5 S' ]3 b! k* G! T

killer00

https://www.eda365.com/forum-8-1.html

seewolf

方法很简单：1、在开关的MOS管上做“缓启动”控制，一般就是“限制栅极电流+并联加大Vgs电容”即可，具体参数以实际调试为准；2、改用“负载开关”替换掉MOS，负载开关选那种“上电延时/斜率”可调，且支持“快速放电”的即可；

startostar

把大电容挪到VCC端

seewolf

不过我还是怀疑你整个电路电源部分的设计有问题，就算VCC_3G电压与的负载功耗或瞬时脉冲电流很大。也不一定需要1000uF电容。这里有如下几个建议：
1、对于大功率或大脉冲电流负载，可以单独使用DCDC供电。DCDC选择开关频率高的，利用DCDC的快速响应能力来缓解瞬时电流脉冲变化；
& A2 }$ c# o3 R! r1 g+ l3 i9 e. _2、电源芯片本身也可以做缓启动控制，通过控制电源芯片的“EN管脚”，使用“限流+并电容”的方式即可；
  M% U7 Q! J# G- U$ C# U3、如果无法独立电源，可以考虑把1000uF的电容至少一半放于VCC电压域。你放置如此大容值的电容，肯定是为了稳定电源，而不是滤波的作用了。那么电容放在开关MOS的前级或者后级其实没有本质区域，将部分挪到开关MOS的前级，也可以有效降低后级负载的上电脉冲电流；