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在挠性印制板或印制板的生产过程中,以化学反应方法将不要部分的铜箔予以去除,使之形成所需的回路图形的称之为蚀刻。一般常用的蚀刻液种类有以下几种: e- x/ a# I; P. P( M) k' P
1)氯化铁蚀刻液:- P' g$ J) x! P4 W6 B/ u
在过去氯化铁蚀刻液被广泛使用在单面板和及内层板的蚀刻中,但因蚀刻速度慢(20- 25 u m/min)和蚀刻能力低(35-40g/L),对机器,工筰场地污染,废液没有回收价值等原因现已被氯化铜蚀刻液逐步取代。( O# H# m8 V& e; w
2)氯化铜蚀刻液:2 Y. ~+ i) I1 y
用氯化铜、盐酸、氯化钠或氯化铵配成,以氯气或氯酸钠或过氧化氢(双氧水)连续再生,成本较氯化铁蚀刻液便宜,废液也有回收价值。它具有良好的蚀刻系数,.再生控制适当蚀刻速率蚀刻能量不错。但若氯化不足,则蚀刻速度降低,水洗后产生百色氯化亚铜沉淀;若氯化过量时,则会产生游离氯气,极易侵蚀蚀刻机的金属部分。冷却后,喷嘴文常因结晶被堵塞,需常清洗。
: z" P3 F8 P9 l6 l! c4 t3)碱性氯化铜蚀刻液1 B( ~. _* M. \" w1 M8 V. T
以氯化铜、氯化铵、氨水配成;并加补助剂成份如氯化钻、氯化钠、碳酸铵、磷酸铵等,以加强蚀刻液的特性。此蚀刻液溶液稳定、安全性好、蚀刻速度快(可达70 u m/min以上),蚀刻能量天,司达70g心以上,蚀刻系数佳,可达3.5以上,有机及金属抗蚀层除银以外均可使用。
" a6 V8 p, C% a; a5 |. O7 R各种蚀刻液和抗蚀层的适用性:. `, v) z6 M% S# k
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, f9 R- U: o S2 f Y蚀刻系数:. s* ^( ^& n& {% _
蚀刻系数=铜箔厚度/侧蚀宽度5 H( _) _' H1 j1 \- V9 E6 p# G8 Q
蚀刻系数越高说明侧蚀量越少,蚀刻质量越好。
3 e/ O( K* E! j: g9 ~" w一般挠性印制板使用酸性氯化铜蚀刻液加工,就酸性氯化铜蚀刻液详细介绍如下:1 {, H$ ~4 m9 ? M
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酸性氯化铜蚀刻过程的主要化学反应
6 s: S3 S( x5 X* d2 j在蚀刻过程中,氯化铜中的Cu2+具有氧化性,能将板面上的铜氧化成Cu1+ ,其反应如下:6 O1 L. y2 K4 h2 X4 c! S
蚀刻反应:Cu+CuCl2->Cu,Cl2
' V- P8 F$ ^! ~4 R7 @形成的CuzCl,是不易溶于水的,在有过量的CI存在下,能形成可溶性的络合离子,其反应如下:3 p2 y& P+ y: n5 L
络合反应:CuzCl2+4Cl ->2[CuCI3]2-
5 g* V5 {) h& F" N随着铜的蚀刻,溶液中的CI1+越来越多,蚀刻能力很快就会下降,直到最后失去效能。为了保持蚀刻能力,可以通过溶液再生的方式将Cu1+重新转变为Cu2+,使溶液继续进行正常的蚀刻。
& R% g9 R6 a* j* F2 b* D8 @常用的酸性氯化铜蚀刻液配方:
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, p. Z& F+ w4 w1 C8 m7 C& t% D! W; h3 J% R
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9 P3 h U n1 ~$ X影响蚀刻速率的因素:
6 |& W3 b, V3 w3 g& R: H7 P" \) Z影响蚀刻速率的因素很多,影响较大的是溶液中Cl,Cu*的含量,溶液温度及Cu2+的浓度等。# Q. f% |! m8 |& ~; V
C含量的影响
5 E& _" {6 b3 T8 O/ g在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上都是以络合离子的形式存在的。一般情况下,当溶液中含有较多的Ci时,Cu2是以[Cu2+Cijr-形式存在,Cu1+是以[CutCI,]2-的形式存在。因此,蚀刻液的配制和再生都需要CI的参与。增加氯离子的浓度可以加快蚀刻速率。添加氯离子可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中疫生铜的蚀刻反应时,生产的Cu,Ci,不易溶子水,财在铜表面生成一层氯化亚铜膜,这种膜能阻挡反应的进一步进行。过量的Cl能与氯化亚铜生成可溶性的络合物[CuCl]2,从铜表面溶解下来,从而提高蚀刻速率。, {/ R/ H I6 n( I+ H& l2 M5 Y
Cu含量的影响5 ^5 ?! s% w& ?. H
根据蚀刻反应,随着铜在蚀刻过程中形成一价铜离子。较微量的Cut,例如:在120g/ Cu2+的溶液中含有4g Cu1+就会对蚀刻速率产生显著的降低。所以在蚀刻操作中要保持Cut*的含量在一个低的范围丙。例如:小于2g/。并要尽快地使其重新氧化成Cu2+。0 l% C0 s# d) j9 X" T
在实际生产中如何控制溶液中的Cu1+浓度?
2 s, w/ E0 F6 o1 m& u根据奈恩斯特方程式:E=Eo+(0.059/n)lg([Cu21]/[Cu1+]); z$ ?; ]8 H1 F5 W% f9 C8 [
从上面的公式可以看出,氧化-还原电位E与(Cu2+ICu1+)的比值有关。
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随着溶液中Cu1+的浓度不断升高,氧化-还原电位不断下降,当氧化-还原电位在530mV时,Cu1+的浓度低于0.4g/。能提供最理想的,高的和几乎恒定的蚀刻速率。所以在实际操作中都以控制溶液的氧化-还原电位来控制溶液中Cu1+的浓度。一般氧化-还原电位多控制在510-550mV之间。% Q+ d! @- I' n
Cu2+含量的影响:# d/ o, A0 C! \" h) Z& `
溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定影响。一般情况下,溶液中Cu2+浓度低子2克离子时,蚀刻速率较低;在2克离子时速度较高。随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时,蚀刻速度就会卞降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率,必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。随着溶液中铜含量的不断增加,溶液的比重也随之增加。在实际生产中采用控制溶液比重的方法来控制溶液的含铜量。在生产中比重一般控制在1.28-7 g) z, o$ G& i8 a+ A1 L$ S7 I& ~
1.295(31-33° Be),此时的含铜量大约在120-150 g/之间。温度对蚀刻速率的影响:! l* l7 `0 v. {' e
随着温度的升高,蚀刻速率加快。但是温度也不宜过高,一般控制在40-55℃范围内。温度太高会引起HCI过多地挥发,造成溶液组份比例失调。另外,如果蚀刻液温度过高,某些抗蚀层会被损坏。
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