请教MOS管导通电阻问题

serenade · 发表于 2022-4-25 09:57

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我在网上一些帖子上面看到，mos管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？

mellifluous · 发表于 2022-4-25 10:47

如果漏源电阻真的达到毫欧姆数量级，就已经进入开关方式的导通状态了，已经不是线性放大状态了。

bfhbdghr · 发表于 2022-4-25 10:52

应用手册中的RDS是指饱和后的电阻，不是线性区的。

hdubsgyd · 发表于 2022-4-25 10:57

MOS管手册上都有一个Vgs/Id的图，上面确定Vds=一个值，例如30V，根据曲线你可以算出不同的Vgs下不同的电阻；
手册上的几毫欧的电阻都是在Vgs>10V以上测量的，例如3315在Vgs=4v 是电阻是25欧，Vgs=10v 是电阻是0.082欧。

cghndnjd · 发表于 2022-4-25 11:01

本帖最后由 cghndnjd 于 2022-4-25 11:14 编辑

因为功耗 P=UI, 饱和：U=0 所以P=0 （理想) 截止：I=0，所以P=0.线性：UI都比较大时，P会很大， mos管就会烧掉。

messed · 发表于 2022-4-25 11:05

导通后就是饱和区，不是放大区。放大区有近似横流特性，而饱和区基本上是很小的电阻的特性。饱和后，功率=电流的平方×导通电阻，PWM频率与饱和与否无关，除非频率非常高，Vgs来不及让开关干脆。但另一方面，驱动有电容隔直的话，那有可能频率太低时驱动不利，后期退出饱和，可以造成频率低反而发热的情况。

nolita · 发表于 2022-4-25 11:08

MOS管门极输入阻抗很高，但是驱动电路要有足够的输出功率，输出阻抗要小，主要是结电容大，频率越高，驱动电流越大！

理论的 · 发表于 2022-4-29 17:31

再看看别人是怎么说的

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