MOS管选型型号及重视六大要点

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第一步：选用N沟道还是P沟道

3 t, q( b8 i7 A# y3 u低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS
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根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使mos管不会失效。
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. [0 A+ v6 u1 _4 [第二步：确定额定电流

额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
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4 C) H$ g) i- }MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
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6 p+ q! L" a4 p- WMOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
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器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。

第三步：确定热要求

- z& [. f7 ~! z# C0 C* P% a! I* @器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。

第四步：决定开关性能
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1 M' T% r0 X+ P, S$ d$ y选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。

第五步：选择MOS管

6 V' m0 O6 U2 z2 D  X# b1 t确定其开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。因为在每次开关时都要对这些电容充电，会在器件中产生开关损耗；MOS管的开关速度也因此被降低，器件效率随之下降；其中，栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
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& S0 e; S+ `* k0 t& x为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)，进而推导出MOS管开关总功率：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。

不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度（如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

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第六步：MOS管封装

MOS管封装有：
4 Y5 ]1 ]; L  Y4 I- l" v) ?% o& E. b/ A①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92；
②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN。

5 p6 m0 S6 y9 a$ L3 P! hTO封装MOS
不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
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& W* l# J. x  xTO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流（电流10A以上、耐压值在100V以下）在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
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6 i+ k0 L+ s( @* F5 WTO-220/220F：这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
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; e9 K9 o# M+ E' }/ P& t# @% uTO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
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TO-92：该封装只有低压MOS管（电流10A以下、耐压值60V以下）和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。
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' b! R' W; P' u6 ZTO-263：是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。

TO-252：是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
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SOP-8：该封装同样是为降低成本而设计，一般在50A以下的中压、60V左右的低压MOS管中较为多见。
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7 a9 Q7 o7 w, ^7 KSOT-23：适于几A电流、60V及以下电压环境中采用，其又分有大体积和小体积两种，主要区别在于电流值不同。
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DFN：体积上，较SOT-23大，但小于TO-252，一般在低压和30A以下中压MOS管中有采用，得益于产品体积小，主要应用于DC小功率电流环境中。

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MOS管首要考虑是P沟道和N沟道

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还是要看额定电流，电压

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MOS管还是要根据封装形式进行选择