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1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
. t* t: L9 N: q( T M2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。9 T% y" f+ k. W& S s2 l9 B( P+ }
3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
$ ], q7 Q; _* p4 @: l. Y" p+ Y4:谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。& U7 }, {5 o( ?* P7 F/ b3 x
5:静电失效:在秋冬季节,由于人体及设备静电而导致的器件失效。" j/ S! W' u. J, X7 b4 f2 L) R& Y e
6:栅极电压失效:由于栅极遭受异常电压尖峰,而导致栅极栅氧层失效。
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