电机驱动推荐使用的MOS管合集，总有一款是您开发电路需要的

幕刃1

究竟电机驱动电路中有多少款MOS管是适合使用的呢？电子工程师开发时经常会遇到这个问题，网络上面要么是只能看到简单的数据，要么就是介绍得不太清晰的。因此今天飞虹电子整理了这一份电机驱动电路可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。
! o1 t  P% i9 H# w7 J" _5 ]
- Y3 t8 H( q: j8 B" E- J- f目前国产MOS管中，可替换多款场效应管产品使用的具体型号为：FHP120N7F6A、FHN60N1F10LA、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP150N03C、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A、FHP75N100，以上10款产品都是可以应用于电机驱动电路中的。
3 @; t0 s5 z5 E

6 c( f8 |, J4 h2 t' l# `: I具体要怎么选择呢？当然需要结合产品的实际参数数据，具体我们来细看一些以上产品的核心参数情况：

3 a3 q5 \7 h' f+ m2 L) W$ E1、FHP120N7F6A场效应管：

最高漏极－源极直流电压为70V，在TC=25℃下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为80A。
0 R3 B7 ?: H4 Y( {& E% Z  P
最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.4mΩ；反向传输电容：24pF。

6 `5 A  o2 G- y. Y+ E* ^$ `7 O; m

2、FHN60N1F10LA场效应管：
/ V& U/ x% L$ G" D7 \/ l
这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
5 @* h3 T8 {- F# U
最大脉冲漏极电流（IDM ）：240（A）、静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为10mΩ、VGS=4.5V则为12.5mΩ；反向传输电容：11pF。

' G, z4 j. M: e5 P, B/ R

3、FHP170N1F4A场效应管：

% N2 ]- s& g  q) n. D) W具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

' f+ B5 @% _2 L( ]4 y2 V" }FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
& V4 r0 \7 i9 \: Z

4、FHP200N6F3A场效应管：
  |& z" N  `8 \& I( T: e
具体产品参数，具有200A、60V的电流、电压， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。

FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。

# d% c( |( Z9 E8 @: R- ]5、FHP200N4F3A场效应管：
' V. N1 @0 G4 e! b0 ]
" |7 v' G& {* ?1 `5 v! _  v1 F8 D具有200A、40V的电流、电压， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。

FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。

* ], c7 G3 O; P1 F) F2 w6、FHP150N03C场效应管：
1 z# K( F- z7 i
# _) ?, m- p9 s& I这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。
' j7 G" a: T$ m  \最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ；反向传输电容：405pF。
( B( H' i" r2 r- ?  }

. K- ~3 x1 M2 i' G7、FHP170N8F3A场效应管：
9 h, C& O3 {. T/ q5 g
最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为117.2A。
) ?0 j9 c: C' C/ |5 K9 o
最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.95mΩ；反向传输电容：97pF。

. M* Q+ e8 O, d$ n8 c, r' [8、FHP110N8F5B场效应管：
7 @/ Q) J, V7 w+ m$ X. b0 |
' N6 s# N6 N3 r+ V6 @: x其产品参数：具有147A电流、85V电压， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高栅源电压 @VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。
" x( C4 g  c0 A7 O
# n5 g- u1 G) d. a, W3 ^# ]FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。

9、FHP100N8F6A场效应管：
* I8 \9 X; |3 N; w6 w1 p
6 j& c* ]" J( [" _100N8F6A场效应管的最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为80A，在TC=125℃下，其连续漏极电流为56A。

$ x! h' w( ]' C, [& e% ?# t) p最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.3mΩ；反向传输电容：18pF。

7 K) O! h' o4 ?1 g4 d

5 c" H1 u- ?9 y! l& l10、FHP60N1F10A场效应管：

FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具备100% EAS测试，100% Rg测试，电机驱动用mos管100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。

FHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
* h1 F& R% q& Z& @: ~5 D8 E* Y
" B. n, [0 f) F+ E% F8 ?0 s1 Z

以上10款产品便是国产MOS管在使用过程中的核心数据呈现，具体可有电机驱动开发工程师进一步选择使用。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。

飞虹电子是优质的MOS管研发团队，过程中会有专业的产品工程师与厂家共同维护研发，让企业产品能够得到最优的保障。

选择可替代电机驱动电路的型号参数场效应管，飞虹半导体为国内的电子产品厂家提供优质产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。
' D: B( v1 a; G  C# [0 W