IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快

itch

IGBT作为半导体功率器件中的全控器件，是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
5 Y; K6 S& x* u
, s# L; n- l, y6 O) xIGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，其应用领域极其广泛。
5 s' z; L; ]- q* D" X# }' Y+ t$ c
. j- K4 K3 ^; o- w按电压分布来看，消费电子领域运用的IGBT产品为600V以下；

太阳能逆变器、白色家电、电动汽车所需的IGBT在600-1700V之间；

+ v/ k, H* o, e2 E* d动车组常用的IGBT模块为3300V和6500V，轨道交通所使用的IGBT电压在1700V-6500V之间。

IGBT在电动汽车中主要运用于电力驱动系统、车载空调系统和充电桩。

mqerew

MOSFET是最为成熟的功率器件之一，MOSFET全球市场规模稳定增长
2 Y( V; r9 U- D4 J$ u- k- N

Memory00

MOSFET和IGBT是占比最大的分立器件