TA的每日心情 | 开心
2022-1-29 15:05 |
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1、BGA封装(ball grid array)8 f& K4 B4 J& ]3 |7 {
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球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
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2、BQFP封装(quad flat package with bumper)
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带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
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o: L: N5 M0 Y' r2 P, Y+ G3、碰焊PGA封装(butt joint pin grid array)
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4 i$ w- H' ~- \- l+ _表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
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h" G5 K! Y7 |8 @( l& S, M4、C－(ceramic)封装- K. L$ r2 u% A. d
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) f, T: e- h% d8 J4 P; w; `表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
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1 i1 Q/ N4 \2 c+ _9 Y% {5、Cerdip封装. P+ b, S( S8 Q1 L" Z7 t1 F5 m* B% p9 U
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用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
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9 y3 D7 n2 n, i6、Cerquad封装
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表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
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带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。( Z3 S: ^7 A/ w5 u4 w( U* J
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7、CLCC封装(ceramic leaded chip carrier)* }) p, Q! h5 A
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带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。4 l; Z9 L3 |3 k- B1 v% `. E
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8、COB封装(chip on board)7 u, `/ P- \9 V
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8 |+ t* t+ _8 m/ O9 w+ ]+ {板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可*性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。 G1 @! {! p& I# e& P) V2 X
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7 s( t6 V; E! w9 M& D2 G9、DFP(dual flat package)
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双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。& \' l5 d2 ~" Z& E8 _; D
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+ `7 q; }$ ~+ I! m% @6 K10、DIC(dual in-line ceramic package)+ w1 F& _ K% ~* I1 I/ X5 y" ~
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7 f% @, l# M9 q2 x0 Q0 D. v) F陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).5 K5 ]) ^$ J- B/ a X5 j
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11、DIL(dual in-line)( K9 I& u7 ?6 M) t( Z# K
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DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。* s+ `% t$ |! q. X0 E
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12、DIP(dual in-line package)8 r# @* }$ Y" m# ]
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0 M- ^/ b0 k$ o9 V% d双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
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4 J( j3 b6 t8 V8 z13、DSO(dual small out-lint)4 W- S: D& L9 e$ I( o3 `1 r3 R# b; l
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双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。% u6 _6 j) {$ d/ }7 o7 L
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14、DICP(dual tape carrier package)" M) _. ?* |9 L; N
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* }" k" a5 V8 g双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。) N+ ?4 S: I& s4 U- i3 h3 `
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7 l" \# P8 A' p5 j* J8 Y. b15、DIP(dual tape carrier package)
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同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
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16、FP(flat package)
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' f- t; Z/ Z8 ^7 B( ]扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
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$ @" f5 z2 {; a% a$ X- e" F17、Flip-chip
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倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。+ }, n+ U0 ^- |2 ~/ v
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4 J3 k7 c: a6 E1 {但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。& r; t# ~* ?! w E2 g
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其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装，全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口，提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology，最高2000MT/s MHz的传输带宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology，MuTIOL 1G Technology。
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7 L- p$ Z0 b5 c/ }. C8 _18、FQFP(fine pitch quad flat package)
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小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)6 j+ z9 W% J7 ^* @& Y
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' ~! ?# ^& E; y$ Z/ W7 iPQFP的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小，引脚很细，很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式，引脚数量一般都在100个以上。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用SMT技术（表面安装设备）将芯片与电路板焊接起来。采用SMT技术安装的芯片不必在电路板上打孔，一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT技术也被广泛的使用在芯片焊接领域，此后很多高级的封装技术都需要使用SMT焊接。1 g, T K0 Q/ m
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以下是一颗AMD的QFP封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小了。
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19、CPAC(globe top pad array carrier)
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美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
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. m4 a7 u, U6 Z' ~20、CQFP軍用晶片陶瓷平版封裝(Ceramic Quad Flat-pack Package)/ i4 [+ B' B! H0 c. W! H& m$ v
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% _$ p" e: S+ X, c1 h; ^) N+ a右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP)，這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層（有高起來，照片上不明顯）用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。5 c! b9 y7 p& L, Z. `
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; W2 _$ Z- c- A2 Z2 A5 k7 L21、H-(with heat sink)! A7 P$ u* U* b* C* E- f2 A
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表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
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2 a' {$ \, K+ |22、Pin Grid Array(SuRFace Mount Type)
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表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
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23、JLCC封装(J-leaded chip carrier)
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J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
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- }5 Y' b9 @* m0 v9 {24、LCC封装(Leadless chip carrier)/ x: P [0 u) m4 X# r, H
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无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。7 m+ |; n$ K# H" U3 J/ P
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8 v% W% |" C1 z- i; p# l' F25、LGA封装(land grid array)$ L! [$ J0 H% g5 I; x
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触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。
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: ^ P8 K" a) WLGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。, A( \& a5 [+ m, l6 _) z, ~% j, P- l3 b4 x
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. ~. Y( ~8 Z( K; J! Q- `. h4 Q26、LOC封装(lead on chip)
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芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。- A" {) O. U) y: L" n! x
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3 t% l5 D$ {! `; @! K( U) A: {27、LQFP封装(low profile quad flat package): w2 x9 s. O4 I* M( ?! D) K
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薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
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外形规格所用的名称。
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- X6 u3 |9 K) V. v; `) `) z6 G2 [( M28、L－QUAD封装8 y/ `0 }( X! o& E0 @' Y, E' g8 H
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陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。4 O3 h& w6 k, y
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封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。+ \ ]4 y8 g6 x7 Y
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& G3 B9 g0 t5 i3 g! W- s29、MCM封装(multi-chip module)) l: u$ ?0 S3 j9 s, j1 [# ]
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* M, b' v4 R5 R) C3 N0 ~% v. A1 q* a$ n多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。2 S9 B* m' k, o$ d( y. a" T
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根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
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+ \! `+ N( `0 w0 H: d! v9 S30、MFP封装(mini flat package)0 H( y$ P) K* \+ K
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, c8 q$ G3 c* m/ ~# L小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。6 B6 l9 u { r# j/ X4 I
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, b8 f: Q/ Z( S0 l6 L# r+ J+ D
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发表于 2022-2-18 11:07
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