TA的每日心情 | 开心 2022-1-29 15:05 |
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1、BGA封装(ball grid array)0 Z, e/ J. N( E( u' D: |
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! D1 B7 p. D! u- L1 G( t. Y. A球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。1 s- x4 W4 F- z4 Y. _' l }
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2、BQFP封装(quad flat package with bumper); l& H! G, q- J/ `$ c p
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带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。! u: w4 ~; w* S+ ^+ Y
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, U6 T$ R2 P8 B3、碰焊PGA封装(butt joint pin grid array)- C7 k) f$ J% B. g8 o1 [7 a% y
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" |, h1 S) U* x) b& n表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。$ {8 ]+ y. ~: u3 c1 W. w+ m
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4、C-(ceramic)封装
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表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
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5、Cerdip封装% x* ]! H+ g2 a0 W1 A
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8 c+ P+ l5 @6 T0 V- T( _用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
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, t% A$ ^9 ^1 c2 M" I0 O @- v6、Cerquad封装6 c1 T' L; _# b4 K8 [
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: R1 p# _% i* {8 C表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。# g2 W" \. M; ?6 a$ N$ N
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带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。9 S- g& e/ a) F* x
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7、CLCC封装(ceramic leaded chip carrier)6 a8 {' b& d8 z, [3 c$ e6 ]
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% w& [ U- D( _9 g* r) z7 C6 C$ V带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。: i( P0 X& q$ G# P( Y
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. _ q) c. s( j& x4 ^8、COB封装(chip on board)( k+ g1 T, K5 e6 ]% u* a+ L# D7 T
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板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可*性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
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9、DFP(dual flat package) L- @3 |4 a! A( ]. v
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/ H3 C( q) B4 [双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
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10、DIC(dual in-line ceramic package)
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$ e$ Z0 R& b6 _1 d/ I' n& W陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).) _+ { S, P% }2 c) v* P
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11、DIL(dual in-line)1 C* y. S8 _+ u- C5 u9 B) ~. h
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5 P# e5 N7 I0 E- X1 jDIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
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12、DIP(dual in-line package)
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双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。 ^/ q( g( i* {: q; a* L
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5 j3 I1 k9 [$ @13、DSO(dual small out-lint)! l0 o% \5 Q, v0 h
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双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
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- w/ l& W/ _% V4 J14、DICP(dual tape carrier package)% [/ d6 D5 ]0 n/ T1 \7 ?
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双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。% O1 S3 K$ M) \ Z) z& X0 T% I2 q
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0 V$ Z0 U* B4 |- a15、DIP(dual tape carrier package)0 y; e2 @" k* ?, d
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# C4 X4 ^ y- @/ `% ~; s& l同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。 w, V/ h6 M( } w7 E
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16、FP(flat package)
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扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。" c2 J+ O( q+ {2 _
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17、Flip-chip
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; F6 f: _6 p" r9 u7 L0 Y- n倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。6 z* S5 {* y3 ~0 P
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' U0 {; I c0 f5 @: w& v" _但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。- H. N; H) p8 P, Y, V% F0 E
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% g+ \9 t, O8 a9 ^4 C( s& K其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装,全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口,提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology,最高2000MT/s MHz的传输带宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology,MuTIOL 1G Technology。
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5 _/ \- }2 c0 F6 E" Y18、FQFP(fine pitch quad flat package)' s# c4 ] p# q$ I& Z, J+ P0 x
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小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)
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PQFP的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式,引脚数量一般都在100个以上。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用SMT技术(表面安装设备)将芯片与电路板焊接起来。采用SMT技术安装的芯片不必在电路板上打孔,一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT技术也被广泛的使用在芯片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用SMT焊接。% p; W% z0 b2 ~8 m
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以下是一颗AMD的QFP封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距,208根I/O引脚,外形尺寸28×28mm,芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8,由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小了。 @6 l; C( T. l0 j: W1 ?$ ^" o9 i8 |
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19、CPAC(globe top pad array carrier)
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3 r) S( X3 F5 L# ~美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
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4 f' l$ y3 `; O20、CQFP軍用晶片陶瓷平版封裝(Ceramic Quad Flat-pack Package)
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. j4 D3 W; r. S( |1 V右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳,這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。
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21、H-(with heat sink)
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表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。
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4 b8 m5 _3 ~2 j% a: r5 T: }+ r22、Pin Grid Array(SuRFace Mount Type)
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" G& b U* R/ G4 x2 k表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。* b/ o2 z- V" R! W& P7 z' D
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8 N0 v y' p: V8 Z: ^23、JLCC封装(J-leaded chip carrier)9 n _2 Y5 {; o/ F+ t4 E$ [
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J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
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24、LCC封装(Leadless chip carrier), ?5 X& c& P( t& X, G, p1 J! b% d
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$ H" g' ]% i0 _# r无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。2 d8 A0 u/ d9 O7 x
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25、LGA封装(land grid array)& c4 x3 t( V7 A! k# M
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0 L$ g$ L1 M; w H# `触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。' K! p8 y2 s6 }9 i! U1 Z
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LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
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" V& U/ X% i4 |' Q3 H# }26、LOC封装(lead on chip)3 M+ s1 a J' J. ^
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芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。( t& z+ `! g3 k
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27、LQFP封装(low profile quad flat package)
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& \# L; ]5 m4 o, R薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP: n2 e4 s6 e! f3 r6 f
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外形规格所用的名称。6 A4 ?9 H, r+ e" o4 S C
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28、L-QUAD封装
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陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
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封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
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$ l( ^0 [: x7 i) f5 @29、MCM封装(multi-chip module); g8 h: J$ V7 |* f
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多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。) p. U/ `" B/ W% ?/ M
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根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。9 m6 a' y" O! d' m0 X7 V, @+ B
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30、MFP封装(mini flat package)( L( c1 s+ l% j. D4 ?
7 B- I, _* c8 A0 X4 @9 F2 _0 ?8 L0 Z) s/ E. C- k
小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
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