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DDR2里面的ADDR CMD CNTRL DATA DQS DQ DM 各代表什么啊，在布线时应怎样来布啊，望高手指点
& C: b: t! Y3 q$ d
+ h) P! h3 y. t+ y; e, Z1 o8 J忽略电源,地网络.
7 A: C( N9 K& S5 b! ^; M8 w% V: W2 o( Y* g/ v+ \, C* u
DDR2可以分为以下三类:6 u$ a0 Q5 {" C# C$ B
9 U) M2 d5 d5 T) ?7 a" v1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P; p5 s) X( {4 ^, [ i- u) Y+ p
( _5 d$ O$ s* P. }9 E/ y0 R
2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P$ E( J- T) D# L5 z; v
6 }$ F [! R7 m. K% o3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等
1 v2 A" O) h9 I6 B# c3 T
+ T& O6 b. h R$ n) c5 O$ w, P可以设置为以下几个class规则:8 B s( \- G3 ]3 a7 M
; Q, E5 ~+ r: m: Y
1,DATA_L_BUS Q0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P! e" k3 ~2 |1 W( S$ d% `
5 A+ k! \$ @, {* v3 b
2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
) |' a% Z2 R- P, V( A- ^) |% E
- o) C; p: H# n/ o2 ?, W& Y3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号
7 J) i2 I+ g) d6 h; T4 H7 A9 m R& C- b/ D
4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P- ]) E0 k3 T$ N) b
8 W2 h! B$ |& @等长设计:: K( A( e- S. G. |
! G" k0 o4 u7 t7 ~+ H
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长
6 L8 T6 q8 V g( W1 e% a" {6 P
1 I4 z H% [2 P: n: B1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil& d; O3 z# O! r' _, z# R
" {% P8 }) ?* e5 d% X2 x
2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
9 Z* [2 x4 j: U! H, a1 b6 i% } ?/ I
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil& R1 H3 B0 x2 N! D# l
: Y' `! R o& @- Z其他要求:
; W9 n s& X3 ?# ~* O: b* y- K; m# g! ]0 S
1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧
" Q5 m3 Z, f5 U+ a, e
]* y( h9 Q4 T# r# E' S; U2,完整的参照平面. k: ~. N( I6 J+ _' _ b i3 x
# a& x/ m9 S4 e' E$ ^+ p
3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上
# n) `; i( z2 d5 ?" ]: v/ |/ b9 Z6 D' R- `& k D! H4 y" X( o$ z
4,信号线不能跨分割.7 ]" s* N# }: l) W' [" r
0 v6 B. L( H2 q# d# W
5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.
; @& D. a* o4 P% `3 h- N
2 y4 |; ], W: R8 L6 _6,去耦电容要靠近相关ＩＣ的电源管脚: ]. A5 }8 m0 m# p" |% |
v1 J3 _- C1 P9 r: K% `% n d
7,尽量采用多层板% W% p& R; W- Q- ?' \3 f
; Y. Q' Q# B% s+ I: h
4 [- ^0 c" Z8 {7 C/ ]9 |. ]! ~! q" k4 q' e$ ~2 m( Y
. n" L7 `# j6 p4 B
- g8 }* Y6 V1 q4 Z5 Y- |. o0 Q9 G+ Y0 C: V6 z; ]: v* g
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发表于 2011-8-30 21:27
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