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DDR2里面的ADDR CMD CNTRL DATA DQS DQ DM 各代表什么啊，在布线时应怎样来布啊，望高手指点9 Y1 A! r- K. ]2 E. O
, E7 c& X* f J6 T
忽略电源,地网络.
P' o- \9 @& y8 r( T$ k# q0 z
3 [1 ]6 ^& a0 _! T4 ADDR2可以分为以下三类:
4 p5 ?/ K! A ^$ L
0 }9 O) l9 J# |4 a5 _1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P
H6 r4 F# X# {3 T3 t. t' y# b7 q( g; g8 i
2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P
2 E* H' d, I2 j; F- J t2 x. z5 @1 L: L" Z, d4 a9 Z$ a' C
3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等- O8 F/ n; n9 |- P
6 d, e' b( C Z/ M8 ]& k' T可以设置为以下几个class规则:5 C: D1 ^; i$ I; @) t5 e# V; o
$ g) S9 ?; B# g& j( s1,DATA_L_BUS Q0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P
, B8 J A$ a' t! X& D
; f4 C, E" n- B8 b0 h9 o2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
) J% m+ d8 |$ ^5 _& p) u# Q
' G% ~5 C; x8 H. W* ~5 B/ g0 V3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号: ]5 b S+ G( @) n5 l
/ r5 x( F8 W, }7 l5 W$ ^
4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P
6 m8 S7 B/ S& q6 I8 S0 O
; s8 A" D% v' [; i5 X等长设计:! `* s# M- W, g+ A; r
# y' _8 d2 v# }0 @2 P5 r
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长7 i6 t" ~* O6 H# y4 m: B+ f6 g1 ]
" G4 [# [) e4 u1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
5 [5 F$ C6 `3 {3 X G/ M C! w3 ^ G x2 k
2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
, B7 a& G$ j7 ?' g2 i4 h% Z2 ^6 T @9 j+ ]5 S5 {
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil
% C9 ^8 Y+ f E5 r+ V7 W n3 C+ j' ?- b1 _
其他要求:
" T& r1 X! @) g4 b
" W, a( N- K1 a ]1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧
`+ M, Z. h1 q) t8 h4 P, _5 u9 x" K- V0 T/ X4 V! H' Q
2,完整的参照平面
. a' n( q9 O# i J2 x d. u
6 q- {9 F3 X4 `7 Q% E, L9 s3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上) n: M ]3 N7 _, V$ L" z: }, {2 K
f7 x& N' ]' ~4,信号线不能跨分割.
8 K: B- ?1 ?' Y# z
& w A! f7 w5 V) ^5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.
) |7 d! X' M! {- F* R3 l
& x; [, Y( f6 j6,去耦电容要靠近相关ＩＣ的电源管脚
+ h0 _! b& v: i8 U
5 r7 t% Q" W* m$ \9 W y7,尽量采用多层板
8 E# H# _1 q& H% ~: ^0 I; D* E5 |8 ?' ?& i6 V J! U% q: M5 k
4 m: W- j7 y/ |
( {3 \9 L$ X0 G; Y) V' `( P- ^ f5 S& M* l
: g; S: {( M$ F
6 {) O+ o# G3 p- O+ H- V# O! _7 e a7 S& N$ X. ^
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发表于 2011-8-30 21:27
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