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ddr2的问题

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1#
发表于 2011-8-30 21:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR2里面的ADDR  CMD  CNTRL  DATA  DQS  DQ  DM 各代表什么啊,在布线时应怎样来布啊,望高手指点

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2#
发表于 2011-8-30 21:47 | 只看该作者
看规格书,ADDR是地址,控制,数据等规格书上有。

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3#
发表于 2011-8-30 22:41 | 只看该作者
ADDR是adress地址 ( CMD  CNTRL不知道)  DATA是数据  DQS  DQ是一组差分锁存信号  DM 数据掩码

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4#
 楼主| 发表于 2011-8-31 19:09 | 只看该作者
thanks

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5#
 楼主| 发表于 2011-8-31 19:10 | 只看该作者
谢谢

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6#
发表于 2011-8-31 20:08 | 只看该作者
没事。I know English well,there is no need to translate "thanks".

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7#
发表于 2011-8-31 20:21 | 只看该作者
CMD  CNTRL  是控制信号。

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8#
发表于 2011-9-1 12:56 | 只看该作者
DDR2里面的ADDR  CMD  CNTRL  DATA  DQS  DQ  DM 各代表什么啊,在布线时应怎样来布啊,望高手指点+ {% |$ q% A0 @6 u- y, {

4 w1 k$ Z( |- Q/ `! p  _; X忽略电源,地网络.1 c/ E( `/ d: e6 n  q0 d

1 ~. d9 x  ]% e- y$ kDDR2可以分为以下三类:
) _: {# ]  c& L* P( N  r+ Y) H* G- i; ?4 }4 d3 {7 g! N
1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P8 c9 f" l6 b) k- H( y# \& S$ ^8 @
" p1 j7 x/ Y  y# i
2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P1 N3 ?# o% A8 G( b
1 D/ Q2 Q5 f( F* \; T6 S. f* O- b/ w
3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等
3 f" ~. g& W1 E7 z( @  c: t8 E) [# ~% x7 |6 f$ M% W1 ^
可以设置为以下几个class规则:! Z# q+ a% x7 M- d& M8 U

: t; X# [& J7 I, S2 e1,DATA_L_BUSQ0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P
3 ]* O. B8 P" j! ?7 m/ B/ S; R. l9 d/ C4 V" O- `
2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P1 V" L) i  z4 c: J9 P8 _

# Q! j/ v7 N( r' C* o6 d7 d9 d3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号
" N  X- I; `2 }+ ~  ]! u$ u* `& \. G/ s+ N
4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P
) _3 ^9 k6 p( \  Y+ e" J; H& e; h
等长设计:
3 Z2 x/ V) W- K7 A3 ]6 _9 Y; p* N! u: D
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长  d# e+ G- U8 z6 a! H
% j9 |; M- \, {2 z2 J
1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
' z7 c) `( g# k! ^9 j9 T0 D! u% Z2 [
- X) `' d3 q% W7 q- _  E( c5 z& |1 v2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil4 D/ R3 ]; h  |$ d# [/ u2 V
8 u4 z4 o9 W7 }0 }9 G
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil, g; C0 e7 C( r" H5 E, \

0 K7 ^! u# N, V  l! V: D其他要求:4 D4 |2 @" h* C9 K! o! Y

+ V4 z5 ]' s( }, r, M! n1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧
% _/ D/ B: a5 {& s; `/ {; G! K* L- A5 w8 D" V% t
2,完整的参照平面
/ u) `/ q5 A( v( q9 z
5 E' c) H6 v2 A3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上
! L: d6 \, ^. w4 ]# D# [/ G
6 n9 g, t% K' Q$ ]. ^4,信号线不能跨分割.
  ^- Z. V+ y( H$ r. O* f8 [) s2 }$ A. q+ n$ P3 b# F8 D( l
5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.
7 H0 S/ B5 f' q( m0 S! g! f
) s- j8 z2 f5 }6,去耦电容要靠近相关IC的电源管脚
6 S! E2 b, E8 t
+ L4 [* b& p- v5 ~1 ~8 L7,尽量采用多层板4 X6 u0 I# ]: i9 P
( n5 m" n5 @0 ^# p. j8 Y2 C$ E

6 @  ^- r7 c! I# L* p0 Y; D! z/ V% j4 i% [$ X+ ~
5 o* K1 G. f3 @8 t6 C- Q/ B

7 a5 D0 v  P5 u8 L7 {' L- L9 B/ R

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9#
 楼主| 发表于 2011-9-1 21:54 | 只看该作者
谢谢分享,学习

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10#
发表于 2011-9-16 12:52 | 只看该作者
不错哦,
  • TA的每日心情
    开心
    2022-12-30 15:16
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    11#
    发表于 2012-2-6 15:52 | 只看该作者
    版主很好 写的很详细
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