集成电路失效分析步骤

liuyian2011

集成电路失效分析步骤

1、开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查。

2、开封显微镜检查。

# b+ n. z# Y7 }8 {2 {( D6 y

4 F! A' t3 s$ v

3、电性能分析，缺陷定位技术、电路分析及微探针分析。

4、物理分析，剥层、聚焦离子束(FIB)，扫描电子显微镜(SEM)，透射电子显微镜(SEM)、VC定位技术。

$ N+ Z$ K$ q/ B' x) d/ \' U

一、无损失效分析技术

; y2 N" F! K& `8 N9 X

1、外观检查，主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片引脚是否接触良好。X射线检查是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常。X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题。根据电子元器件的大小和结构选择合适的波长，这样能得到合适的分辨率。

6 }' t+ E$ L- ^) J6 u* x

2、扫描声学显微镜，是利用超声波探测样品内部缺陷，依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。

1 |3 ~* x' y& G* I

二、有损失效分析技术

, \& \6 M) \+ X' p

1、打开封装，一般有三种方法。全剥离法，集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，无法再进行电动态分析 。方法二局总去除法，三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线，开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。

2、缺陷定位，定位具体失效位置在集成电路失效分析中，是一个重要而困难的项目，缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。

$ t6 b9 U7 @( S( D! B4 ^- @

a.Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射。

7 A3 F' ?, r. `. r

4 g0 L7 p2 C# B3 u( ]* Q

b.OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。

3 Z8 \7 C$ y! Z7 w/ O/ x3 ~

C.液晶热点检测一般由偏振显微镜，可调节温度的样品台，以及控制电路构成。在由晶体各向异性变为晶体各向同性时，所需要的临界温度能量很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90度，偏振显微镜要在正交偏振光的使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。

$ Q# a, M+ h; a2 |. V# |4 D

3.电性能分析(探针台)

根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件。微探针检测技术，微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线。微探针技术一般伴随电路分析配合使用，两者可以较快地搜寻失效器件。

三、物理分析

3 o5 x; r8 k, y# t/ B- D& l2 G

1、聚焦离子束(FIB)，由离子源，离子束聚焦和样品台组成。利用电镜将离子聚焦成微波尺寸的切割器。聚焦离子束的细微精准切割，结合扫描电镜的高分辨率成像，可以很好地解决剖面问题，定位精度可以达到0.1um以下，同时剖面过程过集成电路爱到的应力很小，完整地保存集成电路。

2、扫描电子显微镜(SEM)，利用聚焦离子束轰击器件面表，面产生许多电子信号，将这些电子信号放大作为调制信号，连接显示器，可得到器件表面图像。透射电子显微镜(TEM)，分辨率可以达到0.1nm，透射电子显微镜可以清晰地分析器件缺陷，更好地满足集成电器失效分析对检测工具的解析要求。

3、VC定位技术基于SEM或FIB的一次电子束或离子束，在样品表面进行扫描。硅片表面不现部位有不同电势，表现出来不同的明亮对比，找出导常亮的点从而定位失效点。

; F$ F5 m; N6 ~# m


  l0 P) Q( r3 Y/ n
, Q) ^6 ~8 Y' |

瞪郜望源_21

excellent prefessional precious datas !!!  thanks for your sharing !!!