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PNP NPN三极管原理讲解

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发表于 2022-1-12 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。
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但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。" U0 g* S4 s, {# a

. T0 K, K! y9 L9 p5 v  I所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。. h0 A$ I" r0 |! J# ]9 m
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如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。
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在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
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2 u4 g' M' O( N) D如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。) W  ?& L! |0 Z/ y8 M$ O- P

+ |8 o9 a. ]1 y7 t# ~' {饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。( `$ K+ c- M/ [+ |7 i( A# a
" u) D7 ]& z$ ]- ^, N) T
在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。
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8 D- m. V; T/ H; x! @  c结构与操作原理
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体,和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。

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三极管的结构示意图与电路符号。
* [" L! m. B' W1 \  _, Y( f2 e* V* t6 o% X5 d  f9 {$ A
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里我们先讨论最常用的所谓”
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正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。/ z5 t  C. C; E; @
% Z" w+ b1 A  a& `( g& G4 k8 z( j5 s
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的电洞会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变宽,载体看到的位障变大,故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,电洞和电子的电位能的分布图。( C" S! O' T5 I7 t, c1 `

; _4 g+ ?. N8 s2 K5 s三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例,射极的电洞注入基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极方向扩散,同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极,电洞在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。
, w2 S! D( \9 I4 [/ H' I9 P; j# d
9 @0 o+ i" {5 I! JIC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
* X  g0 c( M: ]+ s$ I2 F) N' {( M: \" S" v6 [% h( m& U
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec,与由基极注入射极的电子流InBE(这部分是三极管作用不需要的部分)。
! G( R# x! K1 X; ?& k, O/ ~1 D
! N7 P# @0 N) `* xInBE在射极与与电洞复合,即InBE=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。
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/ ?' k: K- C+ @
图2 (a)一pnp
三极管偏压在正向活性区;(b)没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,电洞和电子的电位能的分布图比较。
图3 (a) pnp
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三极管在正向活性区时主要的电流种类;(b)电洞电位能分布及注入的情形;(c)电子的电位能分布及注入的情形。
  w: Q/ l- C! b% J5 a+ ^
4 J: k+ U0 w* l7 q7 q一般三极管设计时,射极的掺杂浓度较基极的高许多,如此由射极注入基极的射极主要载体电洞(也就是基极的少数载体)IpEB电流会比由基极注入射极的载体. \, N! E( c! V5 i/ |! |1 X4 r

) a/ Z& V( u3 R7 N, g' P8 N  r4 T; l电子电流InBE大很多,三极管的效益比较高。图3(b)和(c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情形。同时如果基极中性区的宽度WB愈窄,电洞通过基极的时间愈短,被多数载体电子复合的机率愈低,到达集电极的有效电洞流IpEC愈大,基极必须提供的复合电子流也降低,三极管的效益也就愈高。* E5 t8 N' z( k; \8 e3 P6 s4 A9 d( R9 |

4 p# Z* j! z3 r( d/ g集电极的掺杂通常最低,如此可增大CB极的崩溃电压,并减小BC间反向偏压的pn接面的反向饱和电流,这里我们忽略这个反向饱和电流。+ {- i! Q( x3 Q6 W" i5 {6 x6 k: v

, P5 |, s- v9 L. U, F由图4(a),我们可以把各种电流的关系写下来:射极电流、基极电流、集电极电流。

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发表于 2022-1-12 18:00 | 只看该作者
集电极的掺杂通常最低

该用户从未签到

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发表于 2022-1-28 16:35 | 只看该作者
很详细的              
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