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PNP NPN三极管原理讲解

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发表于 2022-1-12 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。" l4 J- i; R0 h' @1 K1 o

$ i$ I7 k) R2 [8 I& W2 U+ Z; l" h' j! X但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。
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所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。
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2 c2 |. E' P5 U: i# M" _0 x) R* x如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。+ v/ q- n, Q& Z; ~$ y

' P3 c! d0 ~! K" X' z4 d在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。6 {# Y  h1 q4 y7 J/ \

. m! N5 Y, I0 B7 ?( i如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。
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饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。
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& I7 c0 \! B" ~# C! r4 S% M在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。' g9 L  u/ Q: n
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结构与操作原理
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体,和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。
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三极管的结构示意图与电路符号。
: G: ^9 \. K, }2 Z! \) E2 Z8 h; E7 ~% Z! F6 o( C; k# W
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里我们先讨论最常用的所谓”
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. i  h7 F  W$ p7 ]0 y+ s$ Q正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
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EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的电洞会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变宽,载体看到的位障变大,故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,电洞和电子的电位能的分布图。: H* h' ^3 r! X( P
+ p7 A6 q4 e, m+ l' f
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例,射极的电洞注入基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极方向扩散,同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极,电洞在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。* K4 U/ g; E( p& b$ ?) e% U2 y4 U

+ o) E" O. ?8 x6 U! ]IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
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基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec,与由基极注入射极的电子流InBE(这部分是三极管作用不需要的部分)。
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InBE在射极与与电洞复合,即InBE=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。

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* W* u9 S$ }& U+ k, J1 T
图2 (a)一pnp
三极管偏压在正向活性区;(b)没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,电洞和电子的电位能的分布图比较。
图3 (a) pnp
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, d) S8 u( G1 }/ p5 a
三极管在正向活性区时主要的电流种类;(b)电洞电位能分布及注入的情形;(c)电子的电位能分布及注入的情形。
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6 Z9 w* V- B1 z, p% g一般三极管设计时,射极的掺杂浓度较基极的高许多,如此由射极注入基极的射极主要载体电洞(也就是基极的少数载体)IpEB电流会比由基极注入射极的载体' _" o4 M' m1 h' m5 D3 x
" A2 n: k. {: ^6 ~) M3 @( I
电子电流InBE大很多,三极管的效益比较高。图3(b)和(c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情形。同时如果基极中性区的宽度WB愈窄,电洞通过基极的时间愈短,被多数载体电子复合的机率愈低,到达集电极的有效电洞流IpEC愈大,基极必须提供的复合电子流也降低,三极管的效益也就愈高。! ]8 ~* d1 D+ b' O, `! r; }  j8 X9 i
5 J4 y6 v' J7 X
集电极的掺杂通常最低,如此可增大CB极的崩溃电压,并减小BC间反向偏压的pn接面的反向饱和电流,这里我们忽略这个反向饱和电流。
0 u3 D) j) {$ B4 E0 e# W
; T6 [* j2 E2 x+ A, N/ G7 \由图4(a),我们可以把各种电流的关系写下来:射极电流、基极电流、集电极电流。
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3 f  q, q3 w( I0 `, M8 `; y8 i9 i9 J) l, z9 ?2 [  G

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2#
发表于 2022-1-12 18:00 | 只看该作者
集电极的掺杂通常最低

该用户从未签到

3#
发表于 2022-1-28 16:35 | 只看该作者
很详细的              
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