应用于5G电源的国产MOS管：FHS170N1F4A可替换STI150N10F7的型号参数！

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5G电源已经是作为大功率电源在5G领域中使用，而在大功率输出电源设计中必然要求电源的转换效率更高，以解决散热问题。那怎么才能通过MOS管才提升5G电源的转化效率呢？
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) {! n& W$ y2 N) H& |3 j' F* j+ h# Y此时选择一款优质的国产MOS管用于产品就是非常重要的问题。目前在技术方面已知采用SGT的工艺可获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率。

那么市面上会有STI150N10F7、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G这四款产品经常用于5G电源上面，但如果需要推荐国产优质MOS而言，我们更推荐：FHS170N1F4A型号产品来替换使用。

% ^; X" V& V0 t9 {2 G/ i% XFHS170N1F4A型号的MOS管是由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产，它是可以代换STI150N10F7、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G等型号参数的场效应管。
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, h9 U' k5 u2 x4 [3 P& M+ Y5G通信的快速发展带动的是电源系统的需求，因此选择一款稳定、优质的MOS管来代换STI150N10F7、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G这类型的型号使用是很重要的，使用好就是提升5G电源产品的稳定性。

我们来看看这款优质的FHS170N1F4A国产场效应管为什么说能比较好的代换STI150N10F7型号参数在5G电源中使用？
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3 j/ y9 r" f3 r9 U. e看看飞虹这款FHP170N1F4A的具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(max) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

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FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

5 \7 J8 \" M9 o8 K在国产化的场效应管代换使用过程中，飞虹国产型号：FHP170N1F4A型号参数来替代HYG045N10NS1B型号。它就是采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能。
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TO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器，AC-DC开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等，TO-263产品适配电池管理。其它mos管品牌替代型号：042N10/045N10、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7、SVG104R0NS、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT。
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飞虹一直秉承着科技领先，勇于创新，贴近客户需求的理念为电子国内以及全球电子厂商服务。品牌影响力也在逐渐提高，致力打造国际一流品牌，为电子厂商提供优质的产品和服务！除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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