ADS中做功分器版图仿真时隔离电阻的定义

MrL1

在做1分4微带型Wilkinson功分器版图仿真时，隔离度在-18db左右，除S11外反射系数在-13左右，S11有-30db，但插损和相位效果比较好，插损在-6.1--6.3间，不知是否是隔离电阻定义的不对，首先是100欧的隔离电阻在Momentum中仿真时是不是需要转换单位？也就是说TFR的阻值不是100 ？在有在Substrate中如何定义电阻所在的层？是不是与导体cond同层？resi层中电阻的值是不是也要换算？单位ohm/square与隔离电阻的100欧之间是什么关系?仿真时短口设置有没有特殊要求？

Jame33

首先回答第一个问题，如果是100欧姆的电阻，是要转换单位的，转换成欧姆每平方，要看你电阻加上去后没有和功分器相连的部分的面积，换算一下第二个问题，电阻不是放在cond层的，要在momentum中另外定义层，有几个电阻定义几个层，然后再与cond层strip一下最后的问题，端口设置没有啥要求
" u/ |6 C7 T8 |4 L# Q5 V4 F1 F" \

three

再看看其他人是怎么说的
4 p- W- }9 s5 s+ ~3 m. I( y3 s" ?

理论的

端口的设置没有要求

dsgh

同问，求结果            
2 a/ R( }+ M7 W0 @4 H! D