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对于平常日用的一些产品,产品在进行设计时就会考虑这个问题,顾客只是简单的利用插头进行电源的连接,所以一般采用反插错接头,这是种简单,低价而有效的方法。
' G6 @! b9 Q1 e( \但是,对于产品处于工厂生产阶段,可能不便采用防差错接头,这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接,带来损失。
# N0 l7 E4 [ }: r4 q: }6 N所以给电路增加防接反电路有时还是有必要的,尽管增加了成本。
( c# ^$ i/ y3 X5 t2 I8 W下面就说说常用的防接反电路:
7 d9 a# k" n" }# `/ x4 P" x1、最简单的在电路中串入一只二极管 * y/ w; w5 ], J7 n
, ]# M d% o, {4 n0 b% o优点:电路简单,成本较低。适用于小电流,对成本要求比较严的产品。
; @1 _ Z+ A* H, F0 Q2 A! j% O4 Z缺点:由于二极管的PN结在导通时,存在一个压降,一般在0.7V以下。这个压降就导致这种电路不适合应用在电流较大的电路中,如果电路有10A的电流,那么二极管的功耗就是0.7*10=7W,发热量还是很可观的。在结构紧凑空间有限的产品中,对产品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。
- b9 M W' h& g" x( k) }5 ~( s# T2、对于上面上面提到的二极管的压降问题,有没有办法克服呢?看下面的电路
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' R* ]# ?+ ?3 C& o: R u/ E7 k" J% t上面的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管,电源极性正确,电路正常工作时,由于负载的存在电流较小,二极管处于反向阻断状态,保险丝不会被熔断。 1 f- _+ x4 L5 ?/ H; T- P
当电源接反时,二极管导通,此时的电流比较大,就会将保险丝熔断,从而切断电源的供给,起到保护负载的作用。 6 `; u& L L0 K+ r: W
优点:保险丝的压降很小,不存在发热问题。成本不高。 3 z2 L- O; O1 s+ P3 x! m
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
6 j- d+ s" Z4 Q! y! t7 }" @0 O9 c- ~! M3、正接反接都可正常工作的电路 ( Z! {6 U3 ?. a5 e# A
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优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。 缺点:存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。 , R7 I" n- U! C
4、N沟道增强型场效应管防接反电路 2 h2 `" _( ~2 x' J; D2 H' ~8 r$ \/ q" `
由场效应管制作工艺决定了,场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件,特别是在大功率的场合。以TO-252封装的I RFR1205为例,其主要参数如下:Vdss=55V,Id=44A,Rds=0.027欧姆;可以看到其导通电阻只有27毫欧。 4 p% h9 F* K; l4 |9 G
下图就是一个用N沟道场效应管构成的防接反电路
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0 |$ W: r( c$ ?* R' _- ]' Y* A这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时,一般是电流由D极进入而从S极流出。应用在这个电路中时则正好相反。
5 x* O6 X- D' c* v# T+ G曾经在一个论坛中看到过这个电路,发布这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称,由于存在一个应用场效应管的惯性思维,导致楼主蒙冤。 ~$ R1 M: A2 B0 Y
其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了,电流是从D到S或S到D都一样的电阻。 4 I3 J8 E$ A( w7 Y) _
在电源极性正确时,电流起始时通过场效应管的稳压管导通,S极电压接近0V。 / |% u9 D2 L& I! G* [
两个电阻分压后,为G提供电压,使场效应管导通,因为其导通阻值很小,就把场效应管内部的二极管给替代了。
- F% ^) s- }4 l8 ^: s8 D电源反接时,场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压,也不导通。从而起到保护作用。 M+ L: D8 s2 [( v+ I r$ |5 q6 ?
对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管,因为场效应管的输入电阻是很高的,
4 E3 d8 S7 @$ ?) q& ^5 N# T) i是一个压控型器件,G极电压要控制在20V内,过高的电压脉冲会导致G极的击穿,这个稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用。
E* Q' L1 E# H! C2 L9 E1 \对于并联在分压电阻上的电容,有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间,电容充电,G极的电压是逐步建立起来的。 0 M8 Z8 E* `6 ^3 G) g
对于并联在场效应管D与S之间的阻容串联电路,我感觉还是值得商榷的。阻容串联电路一般用作脉冲吸收或延时。用在这里要视负载的情况而定,加了或许反而不好。毕竟这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。 , ?0 N7 ^6 I6 r* b# c- L
也可以用P沟道的场效应管,只是要将器件串在正极的输入端。这里不再描述。
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