请教这个STM32F103RBT6的晶体倒底是多少？

unix16785

#if defined (STM32F10X_LD_VL) || (defined STM32F10X_MD_VL) || (defined STM32F10X_HD_VL)
/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
#define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000
9 u7 [+ y$ P% o+ X#else
/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
/* #define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000 */
  q$ l1 @6 R' m+ l/* #define SYSCLK_FREQ_36MHz  36000000 */
. y* p: e" |! c) O7 o# \/* #define SYSCLK_FREQ_48MHz  48000000 */
7 {& |( J, ?: @/* #define SYSCLK_FREQ_56MHz  56000000 */
0 A$ w8 X7 u7 w4 u! @! ?2 q- F#define SYSCLK_FREQ_72MHz  72000000
#endif
2 e7 |4 @! k- U  D上面的LD,MD,HD不过是FLASH密度，怎么和晶体有关系了？

' ~5 h- c5 D  m  A0 u

ononsiiii197

1 {* C; G: \) f5 q! L0 F9 MLD,MD,HD默认最佳应用频率不同，倍频自然不一样，你可以随便改。

cscscwwwrte

这是为了兼容性考虑的，STM32F10X包括101、102、103、107等型号LD,MD,HD确实是FLASH容量，但很多型号最高主频为24兆赫(比如STM32F100C8T6)，这时候MDK里面C/C++选项卡就定义宏STM32F10X_xx_VL以匹配最高主频及其它配置

mqerew

应该是可以更改的