找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 532|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

元器件失效机理有哪些

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2021-11-25 15:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
元器件失效机理有哪些) G, p5 Z$ A. B
元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。
& {/ l* o, b, ?
1、温度导致失效:6 I' l7 ^: O( N2 \( U; A1 j

) L0 Q9 c, y+ D7 y; }' X, e
1.1环境温度是导致元件失效的重要因素。
温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:
/ x" N- J( [# E$ }9 g

9 |  G! z, z( K( B0 o1 n
式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流
          ICQR――温度TR℃时的反向漏电流
          T-TR――温度变化的绝对值
由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
: G8 Y3 X2 S' @' X9 D
温度与允许功耗的关系如下:

3 F/ W' T. S' X/ F$ _  C
; y* W4 a. G! k8 S  J
式中:PCM―――最大允许功耗
           TjM―――最高允许结温
           T――――使用环境温度
           RT―――热阻
由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。
4 W' n2 x6 r3 a9 X. P' T& G9 m
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。

+ A7 H- K3 C/ z" ~1 j0 n; ]
2.1 温度变化对电阻的影响

1 l& W3 K: ]! j" x
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。

# @% t3 J% N+ |* d2 ]
但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。
. }4 l  j$ W$ ]" n3 U; N1 R
对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。

1 V2 t/ N" Q0 U5 r
对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。

: Z! |0 @+ D) [' M( y# h
2.2温度变化对电容的影响
温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
" H6 w* R- S+ @* M
此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
1 i3 k( L- T3 [- ~
3、湿度导致失效
% P6 p- z, ~0 P/ m$ S8 Z5 L
湿度过高,当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时,将腐蚀元器件的焊点与接线处,造成焊点脱落,接头断裂。
湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。
而湿度过低又容易产生静电,所以环境的湿度应控制在合理的水平。
& }) {, f  V8 x4 F+ x, S, X
4、过高电压导致器件失效

, U% y! H, E9 d/ o: `: f  D
施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗,甚至造成电击穿。对于电容器而言,其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言,超过其最大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。

$ k6 }1 C" T% U4 h" N
电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别,但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件有损伤,比如超过二极管、电容等,电压超过元件的耐压值会导致它们击穿,如果能量很大会导致热击穿,元件会报废。
' l0 R9 F, g/ v* B# O, D
5、振动、冲击影响:
# ]3 _+ M+ I  y  O. t. T
机械振动与冲击会使一些内部有缺陷的元件加速失效,造成灾难性故障,机械振动还会使焊点、压线点发生松动,导致接触不良;若振动导致导线不应有的碰连,会产生一些意象不到的后果。

8 c0 [1 B" ?9 O4 z2 f) g, H
可能引起的故障模式,及失效分析。

; r- I# v* Y) A' Z) P
2 i! B7 L0 h0 U) l
电气过应力(Electrical Over Stress,EOS)是一种常见的损害电子器件的方式,是元器件常见的损坏原因,其表现方式是过压或者过流产生大量的热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件(大家常说的烧坏),是由电气系统中的脉冲导致的一种常见的损害电子器件的方式。
+ z, Y( L( V5 }7 \' [6 M

5 M9 Y- s2 p8 l
2 a# R, Q: G: n+ {3 G
( j) m1 ]9 `, M1 {! D
2 C5 E: q4 B7 c3 C9 \4 q
9 _: H  @6 y* o: T2 w/ j
! v+ G3 M; C- y7 h( n9 V6 ~2 ]' c

' |' P% L, W# |# |/ _2 z1 f: C
) g7 h9 X& r/ d& h; B5 w0 n+ {2 m$ z3 E1 I* U, n
1 a: }% U& Y  O9 L* A) ?4 H
. }3 b2 M) |9 i+ r* K; G5 w( _
: x' e9 G: r: b+ ]; s7 Y7 ?
- S+ t: ]7 X, y0 x1 |
: N6 }. r9 Y, t) c5 h

. W2 @6 |( s  G, H( x. e8 D
2 H: F! ?# t  _3 y- w! w  W$ z4 N# C4 _5 |& G4 D) }4 s

该用户从未签到

2#
发表于 2021-11-25 16:36 | 只看该作者
电气过应力是一种常见的损害电子器件的方式,是元器件常见的损坏原因
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-7-19 01:11 , Processed in 0.125000 second(s), 23 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表