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运放参数分析及常用运放选型

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发表于 2021-11-23 10:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
集成运放的参数较多,当中主要參数分为直流指标和交流指标,外加全部芯片都有极限参数。" Y% G" K: [& `7 u

, {6 B) u9 q; H6 ~0 t# X  s; h6 s7 ?2 ~& V' U5 u- E  ]) d$ w+ J
本文以NE5532为例,分别对各指标作简单解释。以下内容除了图片从NE5532数据手冊上截取,其他内容都整理自网络。
. k& p1 _4 P& ?1 R$ H4 L1 A8 R' Z" N6 w4 h) q7 I
/ i% P/ ?" v, N' H1 J; C* `6 \
极限参数5 g% H' m7 r: f9 ?6 b" H
0 L4 j1 E) L3 C: I& M8 h

5 j' T# X% y& U) V( H2 k0 |主要用于确定运放电源供电的设计(提供多少V电压、最大电流不能超过多少),NE5532的极限參数例如以下:5 F. o- B& L5 ~8 `+ k/ \

& ?* ^/ [7 G3 D
0 N% y) R- r) X! W% x2 V
  W8 B7 }1 L9 L( S直流指标0 ]  ~1 P4 \- [2 f& E
运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532的直流指标例如以下:! q+ n7 M2 a+ S/ {$ u, Y2 W3 Y

8 j7 K9 G2 h% \1 @1 E( {. D1 e9 W  F4 p- E/ R9 R6 E7 v
# B5 Z6 a# M- o3 T5 ^
  • 输入失调电压Vos:
    $ d/ j, y* E, U* m# w/ ?2 t输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时。两个输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性。对称性越好。输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系。当中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入失调电压在±1~10mV之间。採用场效应管做输入级的,输入失调电压会更大一些。对于精密运放。输入失调电压一般在1mV以下。输入失调电压越小,直流放大时中间零点偏移越小,越easy处理。8 u7 ]* o3 ?4 [. b3 R5 \
    所以对于精密运放是一个极为重要的指标。0 H9 ]2 \  c+ Q! ]* z' B, d
  • 输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)ΔVos/ΔT:" n1 f. E, S  o4 t+ L
    输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内,输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个參数实际是输入失调电压的补充,便于计算在给定的工作范围内,放大电路因为温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间,精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。
    6 P2 O. q( g7 u! R5 H1 m
  • 输入偏置电流Ios:+ ~' m  J4 d! z! C3 Q
    输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时,其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。/ ]) p7 }/ k7 l( d+ K$ c# S$ T
    输入偏置电流与制造工艺有一定关系,当中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入偏置电流在±10nA~1μA之间;採用场效应管做输入级的,输入偏置电流一般低于1nA。0 b! L9 x' R* g2 n, X
  • 输入失调电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)ΔIos/ΔT:
    " i! ]3 y; k; y
  • 最大共模输入电压Vcm:' {. g# p0 N' E# h% t
    最大共模输入电压定义为,当运放工作于线性区时。在运放的共模抑制比特性显著变坏时的共模输入电压。一般定义为当共模抑制比下降6dB 是所相应的共模输入电压作为最大共模输入电压。
    / P8 n. D( k4 `9 ^( g6 h+ W2 W最大共模输入电压限制了输入信号中的最大共模输入电压范围。在有干扰的情况下。须要在电路设计中注意这个问题。9 m- |% z# ~+ s, W4 h% h) P
  • 共模抑制比CMRR:  H) r" D+ F6 b5 A) i4 g
    共模抑制比定义为当运放工作于线性区时。运放差模增益与共模增益的比值。
    6 d4 {. i- W/ p1 j; @共模抑制比是一个极为重要的指标,它可以抑制差模输入中的共模干扰信号。因为共模抑制比非常大。大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或很多其他,用数值直接表示不方便比較,所以一般採用分贝方式记录和比較。一般运放的共模抑制比在80~120dB之间。$ I7 q( F8 V# n
  • 电源电压抑制比PSRR:
    3 v( l4 @1 h0 n  a% R# |4 w# V电源电压抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放输入失调电压随电源电压的变化比值。电源电压抑制比反映了电源变化对运放输出的影响。1 v: L  P; f% v8 G
    对于电源电压抑制比低的运放,运放的电源须要作认真仔细的处理, 否则电源的纹波会引入到输出端。当然,共模抑制比高的运放,可以补偿一部分电源电压抑制比,另外在使用双电源供电时。正负电源的电源电压抑制比可能不同样。1 W; p$ j" ^' E( \2 G+ e0 O5 l- m
  • 输出峰-峰值电压Vout:) L8 z; i( c$ d( @+ E0 t
    输出峰-峰值电压定义为。当运放工作于线性区时。在指定的负载下,运放在当前大电源电压供电时,运放可以输出的最大电压幅度。
    - }0 {% {3 ?5 r除低压运放外。一般运放的输出输出峰-峰值电压大于±10V。一般运放的输出峰-峰值电压不能达到电源电压,这是因为输出级设计造成的,现代部分低压运放的输出级做了特殊处理,使得在10k?
    6 ]; z) c  n, q5 v- b& A8 }1 @' T+ c负载时,输出峰-峰值电压接近到电源电压的50mV以内,所以称为满幅输出运放,又称为轨到轨(raid-to-raid)运放。) O* M3 s# j1 J8 }
    须要注意的是。运放的输出峰-峰值电压与负载有关,负载不同,输出峰-峰值电压也不同;运放的正负输出电压摆幅不一定同样。
    * z5 W  `1 w5 c3 F8 @( i对于实际应用,输出峰- 峰值电压越接近电源电压越好,这样可以简化电源设计。& {5 |5 \( [. Y# J4 I3 x
    可是如今的满幅输出运放仅仅能工作在低压。并且成本较高。  ^* u; u, N+ B
  • 输入阻抗Rin:% c! V" d. H' s* A: N8 Q; b4 i
    输入阻抗反映输入对运放性能的影响,选择运放时输入阻抗越大越好。2 v6 h* t1 L2 U' w: |
    4 P0 s) C& a$ v* ^" A/ W5 p
    $ g& b6 m4 B5 D3 D% X
交流指标
7 s: e; |- h& N' k7 ^运放主要交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
& s) n! C. r. k" U0 j

* g: d7 z. F( [( t

% |- m+ {2 c2 T
. e* K& \- b' E3 M
交流指标中有很多非常重要的參数,尤其单位增益带宽和压摆率,分别在小信号和大信号运放选型中尤事实上用。
! y' R; ~* m% S# u4 d4 u
6 c! ?) n% Y0 g! q" P5 F
  • 输出阻抗Rout:
    # O  w. k/ E9 a输入阻抗反映运放输出端带负载能力。越小越好。3 F5 j8 c+ a% [; j& m
  • 开环增益Av:
    1 ?! P" p: J1 f% N) n开环条件下运放能达到的最大增益
    - B0 q. s- Q* D6 q$ M* a2 ^1 c
  • 开环带宽:
    & r! w( @! p& p4 m4 p开环带宽定义为。将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端。从运放的输出端測得开环电压增益从运放的直流增益下降3db(或是相当于运放的直流增益的0.707)所相应的信号频率。这用于非常小信号处理。NE5532数据手冊中貌似没有这项參数。5 F( P% @% w9 w$ Z+ O; t
  • 单位增益带宽GB(NE5532中使用增益带宽积GBW衡量)
    - I" q: V( B6 t9 S, O% V单位增益带宽定义为,运放的闭环增益为1倍条件下,将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端。从运放的输出端測得闭环电压增益下降 3db(或是相当于运放输入信号的0.707)所相应的信号频率。2 Q; \/ q" Q0 n& L2 d& X( ~
    单位增益带宽是一个非常重要的指标,对于正弦小信号放大时,单位增益带宽等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积。换句话说,就是当知道要处理的信号频率和信号须要的增以后。可以计算出单位增益带宽,用以选择合适的运放。9 ^: y) j) B5 j9 P' C% A
    这项參数用于小信号处理中运放选型。3 t( r! I3 \2 S8 j" I+ F( X
  • 压摆率(转换速率)SR:
    9 D" X: o8 l" b* m运放接成闭环条件下,将一个大信号(含阶跃信号)输入到运放的输入端,从运放的输出端測得运放的输出上升速率。因为在转换期间,运放的输入级处于开关状态。所以运放的反馈回路不起作用,也就是转换速率与闭环增益无关。
    ) `% C4 x/ h- o# }# K' K, I% K转换速率对于大信号处理是一个非常重要的指标。对于一般运放转换速率SR<=10V/μs。快速运放的转换速率SR>10V/μs。眼下的快速运放最高转换速率SR达到 6000V/μs。这用于大信号处理中运放选型。
    + K# N$ {* |$ [/ z1 G9 ^0 ^
  • 全功率带宽:
    ( D" I: V# F* C, M% X! h在额定的负载时,运放的闭环增益为1倍条件下,将一个恒幅正弦大信号输入到运放的输入端,使运放输出幅度达到最大(同意一定失真)的信号频率。这个频率受到运放转换速率的限制。近似地。全功率带宽=转换速率/2πVop(Vop是运放的峰值输出幅度)。全功率带宽是一个非常重要的指标,用于大信号处理中运放选型。
    + S. T$ C% Q% O2 g
    9 v$ ]5 R1 T+ g" h3 Q7 U% d
经常使用运放选型表
! V7 @" U. Z. w& z6 j' e以下为从其他地方转载过来的经常使用运放选型表:* N8 C$ m2 q% _3 m6 y
器件名称 制造商 简单介绍
! U3 {. X% {$ S' ?7 _' W' L/ Z( W
μA741 TI 单路通用运放! ~' F. i2 u6 H
μA747 TI 双路通用运放( v6 T' z. r& |* m- i6 I
AD515A ADI 低功耗FET输入运放* B5 Q& ~( c8 i  h" U8 H
AD605 ADI 低噪声,单电源,可变增益双运放
! l6 a9 p& @% Q1 A- x  iAD644 ADI 快速,注入BiFET双运放
' s0 p' l- B# l: p8 w' w$ W- y; xAD648 ADI 精密的,低功耗BiFET双运放2 f! o5 V/ y. ~0 ^/ x' d
AD704 ADI 输入微微安培电流双极性四运放
3 G* c! e2 J$ F: ^! w% PAD705 ADI 输入微微安培电流双极性运放* b6 f  x1 N7 _$ _) G
AD706 ADI 输入微微安培电流双极性双运放
  b) E7 U( e" B7 \. \/ N1 F/ cAD707 ADI 超低漂移运放
/ y# _  J5 q3 B- n4 Q$ W- q9 L- WAD708 ADI 超低偏移电压双运放
; N4 p  ?" {. D* {! |AD711 ADI 精密,低成本,快速BiFET运放
( D/ n6 L$ ^0 k+ JAD712 ADI 精密,低成本,快速BiFET双运放1 J2 j" H, E3 K) C
AD713 ADI 精密,低成本,快速BiFET四运放8 Y% w( x: _) Q; [5 }. v- k6 P: d
AD741 ADI 低成本,高精度IC运放
& q) `1 w! x1 Z7 LAD743 ADI 超低噪音BiFET运放
. a( F, M9 L! hAD744 ADI 高精度,快速BiFET运放( ]/ Z2 t: b/ c
AD745 ADI 超低噪音,快速BiFET运放' Z/ C$ n  H4 r$ L: R/ R$ k
AD746 ADI 超低噪音,快速BiFET双运放
: t& J  @, @+ O& D0 F" VAD795 ADI 低功耗,低噪音,精密的FET运放
  S! N* }, k7 t/ C1 s& V  Q+ a- eAD797 ADI 超低失真,超低噪音运放% U8 Y; S. |0 ~+ f- L9 x3 X
AD8022 ADI 快速低噪,电压反馈双运放3 L! \* x$ m. v. T( X! f
AD8047 ADI 通用电压反馈运放
; r5 X; v! y. T1 NAD8048 ADI 通用电压反馈运放# z% b# H2 m# [7 b6 ^! ?2 x% T! c
AD810 ADI 带禁用的低功耗视频运放# s5 m% f9 E* B! X  ~3 f2 c2 R" i
AD811 ADI 高性能视频运放
% E- G, L' s: P& ~) ]$ ^# [  {& W" O% ]$ SAD812 ADI 低功耗电流反馈双运放
& h* L, X7 X- Y2 }% e7 v$ Z5 m: PAD813 ADI 单电源,低功耗视频三运放
! r: q6 c& y3 E6 ]3 i; U4 LAD818 ADI 低成本,低功耗视频运放) o  p& R% G" g) ^
AD820 ADI 单电源,FET输入,满幅度低功耗运放
2 T. e% a8 d3 X. g5 wAD822 ADI 单电源,FET输入,满幅度低功耗运放3 ~, x, y- z* f- d6 ^8 J7 d
AD823 ADI 16MHz,满幅度,FET输入双运放( e$ t1 t4 N9 T- ]" ?
AD824 ADI 单电源,满幅度低功耗,FET输入运放  S7 l2 C% Y9 G( K6 L
AD826 ADI 快速,低功耗双运放
, Z, B* R: [) O$ GAD827 ADI 快速,低功耗双运放. p/ x$ B, {5 I5 F' D/ Z
AD828 ADI 低功耗,视频双运放
1 J# U6 a. l0 [* }! ]4 }AD829 ADI 快速,低噪声视频运放
' n8 M9 S6 b# wAD830 ADI 快速,视频差分运放
4 O+ [! j) n- a5 lAD840 ADI 宽带快速运放
! u" O/ W2 N* ^) mAD841 ADI 宽带,固定单位增益,快速运放4 T1 O. g2 ~4 W) d
AD842 ADI 宽带,高输出电流,快速运放) H& V  x, K6 |, u6 ]
AD843 ADI 34MHz,CBFET快速运放
! a7 Q: t* ~7 ]5 W, ?AD844 ADI 60MHz,2000V/μs单片运放
& h) v2 e1 M  c7 M! l  NAD845 ADI 精密的16MHzCBFET运放4 ?# p/ f. ~& G! o: I% G# |
AD846 ADI 精密的450V/μs电流反馈运放) D4 v/ I8 Z" r  G2 L& }0 k
AD847 ADI 快速,低功耗单片运放1 S, B7 D0 \8 ~* C
AD848 ADI 快速,低功耗单片运放& r, e0 Y$ b7 ?8 @! Y
AD849 ADI 快速,低功耗单片运放
# n4 p' C6 \: GAD8519 ADI 满幅度运放5 ~& j, ~0 M" c2 j4 k( C  x
AD8529 ADI 满幅度运放
6 L1 h1 p% Q" s8 {( ~& O- q9 ^AD8551 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出运放
. R( P7 r3 I7 ?- A) S( E# }AD8552 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出双运放" d( u$ Q5 r2 J0 d: g
AD8554 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出四运放4 o6 {8 P5 f$ J$ a8 X( v
AD8571 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出单运放
" a! z2 L- t1 SAD8572 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出双运放
. |6 V( ~* r+ z8 U8 ]AD8574 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出四运放0 J1 m6 s3 W# `4 Z0 c
AD8591 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放
- M* I7 h* h0 PAD8592 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放
$ k! q' t2 d1 p" A' ~2 ]AD8594 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放3 Y, c$ }( }- ^3 ]: ~
AD8601 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出单运放
3 z+ h: \3 m" |( t9 m6 Y9 {AD8602 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出双运放. G3 O+ |0 K  S" N9 s
AD8604 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出四运放9 ?* e: v6 L0 c* R; M
AD9610 ADI 宽带运放
+ b' W8 Q, ~; A& S5 FAD9617 ADI 低失真,精密宽带运放
" k' ?5 A0 e" ?8 p3 K& U. kAD9618 ADI 低失真,精密宽带运放
# |5 f9 w- Y. [' D" E, e! U  Q) BAD9631 ADI 超低失真,宽带电压反馈运放( m) m  R5 R% A! t8 W
AD9632 ADI 超低失真,宽带电压反馈运放
1 q( ]' z( ~6 r+ EC54DSKplus TI 低噪快速去补偿双路运放0 ^2 A+ I, e: x1 u3 h% G7 {
L165 ST 3A功率运放
1 C) s! X1 N( h- PL272 ST 双通道功率运放
2 A3 B2 v0 I% ?5 g4 rL2720 ST 低压差双通道功率运放3 x2 R& a7 ~0 B: B4 O* Z
L2722 ST 低压差双通道功率运放( J- ?! \" Y/ i  ?8 h: i5 B
L2724 ST 低压差双通道功率运放
1 X0 K3 s  N; L6 T3 bL2726 ST 低压差双通道功率运放
- f( A/ z6 j  k! a0 B1 n  xL2750 ST 低压差双通道功率运放5 s( u6 u9 d2 I7 E5 c" \" k
LF147 ST 宽带四J-FET运放( Q9 K8 |1 J. q
LF151 ST 宽带单J-FET运放
! B7 z9 O" Q( w% z8 o: yLF153 ST 宽带双J-FET运放# E  {6 w; R# T" F* }
LF155 ST 宽带J-FET单运放0 W5 {- N) |5 U! t) c/ X; V
LF156 ST 宽带J-FET单运放3 q+ Y6 B- D% h  [9 p: B( k
LF157 ST 宽带J-FET单运放
" r2 q( \# n. y8 A- a" mLF247 ST 宽带四J-FET运放
# I3 a7 A6 [6 Q' @LF251 ST 宽带单J-FET运放
, J: L0 O% g! w, ^LF253 ST 宽带双J-FET运放9 Y5 W; X* N0 w* o0 P+ x# }
LF255 ST 宽带J-FET单运放
/ Y3 L8 t- p$ v. r' ]0 ALF256 ST 宽带J-FET单运放- \" l# X4 W) e
LF257 ST 宽带J-FET单运放& v( K+ H4 G$ y/ v5 o
LF355 ST 宽带J-FET单运放  p: P/ p  f, m4 Y$ ^5 {! j( o
LF356 ST 宽带J-FET单运放- L  c4 K6 b/ K: z3 s/ G: d
LF357 ST 宽带J-FET单运放, N8 `; G' B0 o# D
LM101A TI 高性能运放
5 X, I, C: m0 n0 E7 o6 ^LM124A(ST) ST 低功耗四运放
0 y4 ~; W1 g2 k; _+ QLM146 ST 可编程四双极型运放
9 X) D2 n" n5 h, Y1 CLM158/A ST 低功耗双运放
3 K0 |$ n8 z0 A7 O7 ]& @LM224A(st) ST 低功耗四运放
$ y6 }0 F' m% @* |" L6 P8 k( vLM246 ST 可编程四双极型运放
1 L8 ?6 r# t8 b( F/ Y8 g7 r: ALM258/A ST 低功耗双运放
4 T# \2 g; r5 h2 a( l) y8 MLM324A ST 低功耗四运放
) T  f: t# j$ I0 |. b8 ?; [LM346 ST 可编程四双极型运放( L9 Y/ k2 L3 _- Q  t6 O6 ]
LM358/A ST 低功耗双运放
* F' A0 Y% {: |+ D( \8 j* C, E8 DLMV321 TI 低电压单运放8 k# M7 ?" L/ M# y* r
LMV324 TI 低电压四运放
- s" l( n6 l4 `/ {LMV358 TI 低电压双运放
. a8 B. G# _4 |LS204 ST 高性能双运放' n; W  G9 A4 W& R9 r/ S
LS404 ST 高性能四运放
) v" _3 h2 S0 p: ^6 G8 x9 {7 sLT1013 TI 双通道精密型运放. Z! R. n! T( H
LT1014 TI 四通道精密型运放
5 I& C8 D6 e3 u! ]9 d' V, N% c" q7 D% Y; GMC1558 TI 双路通用运放
. I3 H2 m+ Q" x/ @MC33001 ST 通用单JFET运放
# O# H& \3 s$ @/ v2 cMC33002 ST 通用双JFET运放7 m4 B. `' b  p5 p. Z
MC33004 ST 通用四JFET运放
& [, [1 j' i8 B0 B$ z6 Y" NMC3303 TI 四路低功率运放5 @+ }4 t# k9 _# @7 Q
MC33078 ST 低噪双运放0 q5 {8 L7 w- y) P" T% C
MC33079 ST 低噪声四运放
" }0 k8 }" H. `MC33171 ST 低功耗双极型单运放
8 A! W; M% Q8 ~MC33172 ST 低功耗双极型双运放* n& L- _3 c$ u! C2 U
MC33174 ST 低功耗双极型四运放
5 R: h5 y0 _- B+ \1 [! FMC34001 ST 通用单JFET运放
* J0 w9 C6 p$ l# O( A" \+ u) LMC34002 ST 通用双JFET运放: u- n* z% D" \, q0 W* L
MC34004 ST 通用四JFET运放; E* l7 u" t+ O; j. ]$ {: [7 L; Y
MC3403 TI 四路低功率通用运放" e7 I* l6 A$ A- _  S- S/ t
MC35001 ST 通用单JFET运放
9 Z) I) W4 o# I# gMC35002 ST 通用双JFET运放- b6 k$ v2 Z: b/ I
MC35004 ST 通用四JFET运放- r  K( |: E5 A/ F# [0 N) F) H
MC3503 ST 低功耗双极型四运放$ `4 V" T' ^+ [+ q' S" D
MC35171 ST 低功耗双极型单运放4 O( ~( k( u/ Z& v! b
MC35172 ST 低功耗双极型双运放
4 y8 @% d! Y: u2 l! e7 H/ D+ @* }MC35174 ST 低功耗双极型四运放4 W6 _3 t& ~( [: ?7 n
MC4558 ST 宽带双极型双运放0 Q0 c* `! q4 O
MCP601 Microchip 2.7V~5.5V单电源单运放4 p* ?' H6 `( |4 H" Z3 ^7 h
MCP602 Microchip 2.7V~5.5V单电源双运放5 z) f$ n: p6 {  Q/ h
MCP603 Microchip 2.7V~5.5V单电源单运放+ e+ e8 G8 O7 x9 y
MCP604 Microchip 2.7V~5.5V单电源四运放
& A, r' B6 v: a* A9 qNE5532 TI 双路低噪快速音频运放
8 E$ Q" _0 }' h5 n9 pNE5534 TI 低噪快速音频运放
  }7 f+ Z4 ~4 s5 L* v7 y9 d- b; ~OP-04 ADI 高性能双运放
9 N1 a+ |7 O. [" q7 M! POP-08 ADI 低输入电流运放1 W2 I4 ?! D7 f0 p
OP-09 ADI 741型运放
' I& B' G& I4 ~# B9 NOP-11 ADI 741型运放- I: B- O7 E7 C. W! c
OP-12 ADI 精密的低输入电流运放, ?2 J4 H, x. u# }( ?) t
OP-14 ADI 高性能双运放$ c* w7 e6 K' w- p/ ~5 q
OP-15 ADI 精密的JFET运放; U/ r0 n  F8 n& g9 W" W+ T
OP-16 ADI 精密的JFET运放
2 y, \9 f' }+ v+ g6 F" vOP-17 ADI 精密的JFET运放/ ?8 x* g8 Z: H+ e8 _- U3 z1 b3 C
OP-207 ADI 超低Vos双运放
! I1 V4 [* F1 {. N. u* ^OP-215 ADI 高精度双运放. T6 J/ r: C- h0 n5 s
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TLV2773 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断双运放: V( W; D: p- F9 ]4 p
TLV2774 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断四运放
3 x' W3 x# v9 a5 c' }* C# c$ u5 w9 L8 uTLV2775 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断四运放
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TS274 ST 快速CMOS四运放
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TS27M2 ST 低功耗CMOS双运放
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TS321 ST 低功率单运放
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TS3V914 ST 满幅度四运放
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TS512 ST 快速精密双运放4 n( x3 ]: d" m4 n
TS514 ST 快速精密四运放
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TS524 ST 精密低噪音四运放2 h2 r$ ]+ Q; f; q- p
TS902 ST 满幅度CMOS双运放2 s1 G0 w$ t' ]3 q% o- A8 R" [7 @! k
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TS914 ST 满幅度四运放
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TS922 ST 满幅度高输出电流双运放7 ?: p5 u1 ~; B; c3 V
TS924 ST 满幅度高输出电流四运放
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TS942 ST 满幅度输出双运放
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TS971 ST 满幅度低噪声单运放1 Q+ U$ P+ V. {' l2 f3 S& N5 P
TSH10 ST 140MHz宽带低噪声单运放7 g  a- H( b0 B& ]! l( B# D! ^5 D. M
TSH11 ST 120MHz宽带MOS输入单运放
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TSH151 ST 宽带和MOS输入的单运放
" Q! W6 x2 a+ D( B2 G) FTSH22 ST 高性能双极双运放) v$ Z8 r' |2 m# P' `- `/ n- h
TSH24 ST 高性能双极四运放
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  `2 O% G/ E; w5 {( ATSH321 ST 宽带和MOS输入单运放9 _5 Y2 V, u- v4 r
TSH93 ST 快速低功耗三运放" L1 y7 W& ~( a& V
TSH94 ST 快速低耗四运放
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; D0 n- R, O# O0 B2 JTSM102 ST 双运放-双比較器和可调电压基准
" j& y( j  H8 ^9 b% N& X  WTSM221 ST 满幅度双运放和双比較器( [$ V% ^- H: \
UA748 ST 精密单运放
2 c& q  ]+ z6 M/ s# [8 e, f, @UA776 ST 可编程低功耗单运放9 _! f0 G. d; B6 I4 }) C
X9430 Xicor 可编程双运放
. z7 J" x& A9 [; k. \$ m* b. T

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2#
发表于 2021-11-23 11:21 | 只看该作者
输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内,输入失调电压的变化与温度变化的比值

该用户从未签到

3#
发表于 2021-11-23 11:22 | 只看该作者
输入失调电压对于精密运放是一个极为重要的指标

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4#
发表于 2021-11-23 11:22 | 只看该作者
共模抑制比定义为当运放工作于线性区时。运放差模增益与共模增益的比值
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