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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析
& T# S; d* i: j# c7 f5 V在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。
5 C, r- _: M& W7 n7 \: Q3 H" R T6 f% }, d
图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图
4 x, ]6 c; J0 \图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:
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% m( }7 m+ \( e5 w! K6 n y图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
* Y6 ?9 C, T7 y差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.! C' r0 N0 L+ m& \5 k
图3、PCB差分走线间距与叠层& f. ]; u5 U5 c% F% x7 q9 T8 m
从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。& w9 `+ M: C0 E6 R: n5 ]7 N) V, l7 p
图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
8 W3 Q+ E' N2 k8 Q* o; o
2 C' O1 Y8 [6 Q图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果
; G7 t! {% S/ o! ]4 m从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。
* J5 y' w! A& J6 \3 `三、优化方案分析
4 D6 m3 ]$ [' {5 ?对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。
! k" s, \3 o0 a图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:% T6 |) }* v0 d" X- a! B
; F+ j- \! m3 m1 g1 m
图5、紧耦合差分布线图
5 F# d% h2 Q/ J" `% z图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:
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8 Y5 L& b* P" `% m# S8 ?6 L- f2 d0 t图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果
6 O; j) a% h; m8 `0 c从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。- j- g( C% q/ C' e( v
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