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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析" d3 O) h2 q' ~" I1 w1 ~; R9 K
在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。
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图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图1 z2 ] o0 x# D, Y7 k
图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:' ?, F/ f- d6 O/ [: F+ z
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图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
) f! y; k6 U( A5 C差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.9 I3 x1 _; G' O! Z; Q
图3、PCB差分走线间距与叠层' N, W4 R; f& M7 F+ H
从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。
Q6 {# v0 W0 I5 }5 y图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
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% s2 r/ z! |# L$ y& p O+ n图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果
2 ~. C! a- D( i& \* Y/ f4 q从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。
7 i; \' \7 \0 [, K. S三、优化方案分析
/ [9 d' T& F5 f- Y' v- m% I对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。
. }, ~% D: Q% J" a( Y8 B4 y图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:* T9 H1 s% p& ]! n$ @; E
& ?5 o, c! D% z5 V/ d# t图5、紧耦合差分布线图
- m4 q2 W" t2 i6 W" E, O图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:
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图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果9 Q6 H: J/ m& z: b$ |6 |/ ?- g
从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。0 C: W; j0 o1 h4 O, O) M. _
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