EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析, i+ U6 y/ T# i& H" z
在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。3 b; a k$ r6 u, {$ C& B
' ]1 J E& v' k. o. I2 { u& D
图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图/ E0 T& O1 O' {# \* p0 n6 x
图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:
/ E. O$ c. [/ C; j' \/ r 2 H u8 p4 ^9 J7 C4 \
图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
/ ^& z$ c: r" c2 Q! R差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4. + P8 {: O8 V6 I5 e R) `
图3、PCB差分走线间距与叠层
: p' p# w G( j. r( ^从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。
" Q# l& n8 D5 o& m' |6 x% N: P图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
% a1 H8 E' s! a1 c) y![]()
, l, @6 A( m/ E+ f$ D+ M3 I: A图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果+ K3 p) f+ F1 j6 _0 j8 z
从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。 三、优化方案分析
% ?) N/ A( r; X: x! ^* D对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。
/ M9 Y8 T) K5 C图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:/ R! t J% h" K
8 T8 l/ J4 \' T$ V/ N% q4 T( V
图5、紧耦合差分布线图
5 p$ c9 j; J) y图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:
H; ^1 \! k& A8 v4 k$ C . |+ |/ i9 }2 k
图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果
5 g& z" M$ {+ V7 U: \从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。 ; A; F2 W- ?- \. k
|