GaN 是极为稳定的化合物,又是坚硬和熔点高的材料,其熔点为高达1700℃。同时,GaN 有较高的电子密度和电子速度,其高电离度,也是在三五族化合物中最高的,因此受到高频、高功率类别电子产品的青睐。 3 p" ^# h- Q d8 n3 T- @* E' u. k/ f
GaN 目前主要的应用就在微波射频、电力两大领域。具体而言,微波射频包含5G 通讯、雷达预警、卫星通讯等应用;电力则包含智慧电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等。 $ M2 b h9 A% v% z
+ z# f0 V4 c8 r1 K射频领域 ) w1 E. L2 e$ C" E+ s " P, ?: \: q! Z3 a GaN 的射频零组件具有高频、高功率、较宽频宽、低功耗、小尺寸的特点,能有效在5G 世代中节省PCB 的空间,特别是手机内部空间上,且能达到良好的功耗控制。 C* U7 h& }8 Q, b& K! u+ }+ _ 1 Q% v0 \7 v& }0 r' Z" L在5G产品中,GaN主要应用在Sub-6GHz基地台和毫米波(24GHz以上)的小基地站。Yole预估GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元成长2024年的20亿美元,CAGR达21%,这主要受电信基础设施及国防两大领域所推动,而卫星通信、有线宽频和射频也有一定的贡献。 # t7 M% x. W. { / m1 R9 N9 X. O# T/ k9 G" t在要求高频高功率输出的卫星通讯中,市场预估GaN 将逐渐取代GaAs 成为新的解决方案。而在有线电视和民用雷达市场与LDMOS 或GaAs 材料相比,GaN 的成本仍高,短期内大量取代的情况不易见。 - [0 [$ [& O; T& ]3 a / W) j7 z' |3 g
在GaN 射频领域主要由美、日两国企业主导,其中,以美商Cree 居首,住友电工、东芝、富士通等日商紧追在后,中国厂如三安光电、海特高新、华进创威在此领域虽有着墨,但与国际大厂相比技术差距大。: F, X8 d7 C6 v. y) G. c