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MOS管 米勒效应原因

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-3-10 15:45
  • 签到天数: 80 天

    [LV.6]常住居民II

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    1#
    发表于 2021-11-5 15:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    哪位大佬可以谈谈MOS管开通过程中,米勒平台形成的原因吗?小弟很迷惑?ID电流达到最大,为什么紧接着漏极电压就下降了,很不解啊。

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2021-11-5 16:15 | 只看该作者
    过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;  E8 k8 G1 v4 S% I

    8 \6 P3 _" i4 _: E3 Y$ k" J过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
    , d% Y7 F3 g1 p( D6 B+ l" ]# r7 g7 i3 L/ F. s$ e3 j1 f$ h
    静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电;
  • TA的每日心情
    开心
    2023-8-28 15:08
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    [LV.5]常住居民I

    3#
    发表于 2021-11-5 17:28 | 只看该作者
    过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2021-11-6 09:28 | 只看该作者
    哪位大佬可以谈谈MOS管开通过程中,米勒平台形成的原因吗?小弟很迷惑?ID电流达到最大,为什么紧接着漏极电压就下降了,很不解啊。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-1 15:26
  • 签到天数: 584 天

    [LV.9]以坛为家II

    5#
    发表于 2021-11-6 15:04 | 只看该作者
    看看大佬怎么说

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2021-11-16 13:48 | 只看该作者
    好像和寄生电容CGD有关。

    “来自电巢APP”

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