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1、样品名称：控制电路 背景：该芯片用于柜机室内电控盒组件上。生产线上检测的过程中，正版功能测试出现异常。故障集成电路程序教研室发生程序错乱。 失效模式：功能失效 失效原因：过压和闩锁 分析结论：过压或电压脉冲引起端口网络击穿和端口网络局部闩锁失效。 分析说明：样品端口游记不大电流过热的现象，但未见端口网络局部熔融，原因是失效样品端口有过电压或电压脉冲，引起端口网络击穿；电压脉冲也因其另一端口网络产生局部闩锁效应而产生大电流，从而导致金丝键合引线过热，芯片金属化过热和层间金属化短路的现象。 2、通信接口集成电路 背景：该电路作为信号通信接口，整机板有多只该型号样品，失效样品在班上具有特定的位置特征。是小样品在整机工艺线上的检测时发现信号通信异常。 失效模式：功能失效 失效原因：闩锁 分析结论：闩锁效应引起的过电流烧毁失效。 分析说明：失效样品封装塑料鼓起、破裂，并有焦黄的现象，说明是小样品曾经经过够电流而产生局部高温的过程；开封后可观察到芯片的大多数金丝、电源及多数段楼有大面积金属过热、烧焦或熔融现象，证明失效样品芯片时由于大电流导致过热烧毁。 3、频谱分析电路 背景;在温度循环试验中，多个频谱分析电路出现问题，是小钱累计工作时间120min。测量中使用了两个测控台，两个测控台不共地。在连续发生频谱分析电路失效后，后续的温度循环试验中，两个测控台采用了共地措施，并且将温度循环箱的接线口处进行了密封，清除了温箱内的结霜现象；采取这些措施以后，在进行温循环是没有再发生频谱分析电路的失效现象。 失效模式：参数异常 分析结论：失效是由静电击穿和电烧毁引起。 分析说明：测试证实了样品的失效模式，并排除水汽影响：是小样品均发现芯片上存在着不同程度的击穿和烧毁。失效部位主要集中在芯片中靠近Pad位置的防静电输入保护网部分，1只样品芯片上的PLN9端是该FPCA的I/O端口。多数为静电击穿。 背景：高速CMOS单片机电路装机前已进行过筛选。5只失效样品，1只良品。失效现象表现为：1只样品可以进行紫外线擦除，但写入程序后显示校验失败：2只样品内容为空，但不能写入：另外2只样品内容非空，但不能擦除干净。 失效模式：功能失效 失效原因：静电和过电损伤 分析结论：4只样品为静电脉冲导致端口保护网络电路损伤：另1只样品为过电造成芯片的端口保护电路烧毁。 分析说明：1只样品的2个端口存在明显的国电烧毁形貌，应为过电应力造成芯片端口保护电路烧毁：其余样品各有1到2个端口的保护网络电路元件有局部电压击穿形貌，为静电导致的电压击穿。端口电路保护网络电路损坏，导致器件功能失效。 ' ?) L9 i4 g- H- E. \
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发表于 2021-11-2 10:58
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