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典型电子元器件失效分析方法

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发表于 2021-10-18 11:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、 微分析法
( J% c5 v* D0 x/ E4 o(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及
4 G# l* @. q- g+ S, @$ a其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进
! ?" S, a8 c' X行观察;4 u, `- _! j* B. @& S
(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信 - X' V; [; E9 A( {
息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在
5 `7 x0 |1 }7 N% h5 X作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率;   D/ r8 N" {( I
(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对
( G3 P! g+ U/ w8 C  S其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。/ C/ `2 @/ T5 P) V
2、 光学显微镜分析法 1 \- U$ j$ c% t! y( \
进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两 ( W6 n: }, q3 `3 |# P, S
者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结 ! W' C: }, \8 I! i5 S
构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
+ _/ c7 A; D0 \具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适 ; {0 F5 h3 c* g
应各种电子元器件失效分析的需要。
" Y2 Q0 Z7 C# p* v# Y# [
; ]- H8 s2 b' Y6 L
! w3 [2 q: e% v% _8 G; ]! W7 R6 t. S* ]  o8 W; k
, D1 W" a- r6 g- e3 j' V

; w5 N0 P$ I/ ~5 B; M3 t2 E附件: 典型电子元器件失效分析方法.pdf (86.49 KB, 下载次数: 2)
; m6 k+ g7 ~! e" L+ Z& H/ w
" q+ z, e* I9 @; [' Q; Q' ~2 D9 n6 ]# _0 e8 h7 R

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    [LV.10]以坛为家III

    2#
    发表于 2021-10-18 11:38 | 只看该作者
    这个资料很稀饭,很有参研价值,值得学习和研究,学习下

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-10-18 15:52 | 只看该作者
    声学显微镜分析法( \6 ?( M9 j; T, D" `$ x
    这个方法也用的多
    + V1 ^( I: n6 o5 v2 n
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