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1、 微分析法 $ Y. @7 c, P- j* ^( M
(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步，对电子元器件进行形貌观察、线系及 ) W: C v) ^$ m$ E: a
其定位失准等，必要时还可以借助仪器，例如：扫描电镜和透射电子显微镜等进 7 Y8 o7 W# f8 D: Q7 a
行观察；
, V3 O% r7 Z2 A L3 X- X(2) 其次，我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信 x! Q0 { r. ^1 ~5 \
息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过，在
+ t4 K9 V# j1 i c7 P% n作 AES 测试时，电子束的焦斑要小，才能得到更高的横向分辨率； % e3 v% }4 y! t6 e5 V, A
(3) 最后，了解电子元器件衬底的晶体取向，探测薄膜是单晶还是多晶等对 - @. v$ k) k7 I( |6 Y) y$ @8 J
其结构进行分析是一个很重要的方面，这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
2 D. u7 S. F) L/ v& P0 d2、 光学显微镜分析法 ; ^. z. ?! m& n
进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两 3 B1 `& X1 N+ m* \
者的技术特点结合使用，便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
! H" B; Z" e( u3 Y9 Q4 K9 y构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
O$ H4 f, x- ?6 J' v2 w4 t具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置，以适 2 H2 x* z7 ^9 I$ k
应各种电子元器件失效分析的需要。 3 ]. h' ?! Z; C" r, E+ [
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# ?: j% Y9 o, a0 e附件：
典型电子元器件失效分析方法.pdf
(86.49 KB, 下载次数: 2)
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发表于 2021-10-18 11:28
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发表于 2021-10-18 15:52