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1、 微分析法
8 r) M) g+ j$ r9 B8 r: h* G(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步，对电子元器件进行形貌观察、线系及 ' F* L8 l ]# W; P+ L4 n
其定位失准等，必要时还可以借助仪器，例如：扫描电镜和透射电子显微镜等进 & k: b; O- `' T) I& c( ~+ S
行观察；
9 J4 {% _# `3 b1 [8 N4 q(2) 其次，我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信
* F, }) b4 y+ l& f6 f; V( k& y息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过，在 , L+ [% G" f# {3 F
作 AES 测试时，电子束的焦斑要小，才能得到更高的横向分辨率； . K) T! A7 S' B4 Y5 i1 G
(3) 最后，了解电子元器件衬底的晶体取向，探测薄膜是单晶还是多晶等对 " e7 L l6 x0 F7 A% i9 l- d2 l
其结构进行分析是一个很重要的方面，这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
3 D, C# I: x: { W5 @( |2、 光学显微镜分析法 + P# e$ v( _/ z, ]+ I5 P
进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两
" u3 t' G, [) G- Y6 m3 U者的技术特点结合使用，便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结 7 [2 d- K6 o0 y
构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助 1 a; f9 z) b" X5 ? t# z
具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置，以适
2 w( z! L! p+ N应各种电子元器件失效分析的需要。
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" c0 X7 t% l: ]附件：
典型电子元器件失效分析方法.pdf
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发表于 2021-10-18 11:28
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发表于 2021-10-18 15:52