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- Z& p4 ^, n& \8 E/ U1 z% t失效定义: o+ H, E W% O
1特性剧烈或缓慢变化
* c8 e5 ]: a; r% d+ ~' D0 m2不能正常工作# r; {+ x5 r M- r$ J" |
3不能自愈失效种类
1 X1 {4 O8 R- R+ p3 Q8 f1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降
: \4 o3 _1 }" `- K& S, E3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效9 k+ |# q" n) q% f- T* E' A8 A2 C
, v+ E0 A P) T7 h0 v* B
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- S# O9 E |* p+ M B. \; S- _. j7 q4 g
附件：
IC电子元器件失效分析.zip
(333.7 KB, 下载次数: 0)
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发表于 2021-10-12 11:09
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