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2019-2025年中国电子元件制造行业市场分析及投资可行性研究报告

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发表于 2021-10-12 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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; }+ [4 e0 u, k
7 g9 @1 I+ M* S: P# s5 t8 j# ~* K
失效定义, [* j' P* q$ r8 s
1特性剧烈或缓慢变化2 Y4 I+ a% E2 j. P9 ?) D: h0 l
2不能正常工作  C, b4 ]$ n% E" d7 G
3不能自愈失效种类4 W7 @! M4 g! M( ~3 \. Y  N  \: T
1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降
$ k9 I0 A6 s- A5 Y3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效) I' N# w1 q( [' u$ W8 T4 Y+ b

3 W' Q6 O8 U7 A9 \5 Y1 C
7 Y  K5 t1 F$ ?0 b8 u' k  ]0 ~, M) p8 j. H
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附件: IC电子元器件失效分析.zip (333.7 KB, 下载次数: 0) 9 O3 E* r0 l( P1 j6 z- ~

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2#
发表于 2021-10-12 11:27 | 只看该作者
- k+ f/ |/ Y* b. d1 k% f# ~* O; ^9 M
z 应力-时间模型(反应论模型)
  O* F$ A; J$ }! t$ r; L失效原因:应力的时间累积效应,特性变化超
2 f7 J  s- h% O1 e1 B8 n差。如金属电迁移、腐蚀、热疲劳
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