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8 g, g& j- k, X8 _$ _失效定义0 m# S6 w* i0 G( Q: ^
1特性剧烈或缓慢变化
6 Z; T' \, |! {( J3 X: F2不能正常工作8 X, a# h0 b7 ~8 i: ]; ?
3不能自愈失效种类
7 N* {& b2 f* H1 |% v" e2 S+ g1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降6 e. [9 C/ m. }! d2 z
3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效0 i2 ]8 K) F% d
* j" e; e7 X, T6 m+ M: o1 @' [
! l2 q& c, o1 m- t; v4 a. N; \5 I, d8 ?+ o' }
6 h% }: G% W) S% o2 |
9 v2 V2 H; W5 [) h. {' v: d附件:
IC电子元器件失效分析.zip
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