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2019-2025年中国电子元件制造行业市场分析及投资可行性研究报告

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发表于 2021-10-12 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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# U0 l5 l' j4 L+ H3 s/ \0 S0 R' p0 f
失效定义
# g5 @/ S" C% z2 ~! x( Z+ X: j: t1特性剧烈或缓慢变化
4 s( Z- L+ U# ^2不能正常工作
9 |' K% d- L( i3不能自愈失效种类4 K" z) s: {$ d7 a+ i" ~/ x
1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降
; Q! g# d4 F" X  X0 S- e! R6 _$ K" [3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效: Y( _, s$ }  o
7 u: [. u1 ]7 D* p9 p# K% B5 _
* {7 S3 X3 M$ [7 y% k. |$ X$ h
4 z8 \  L; V* I$ n% K

7 L6 Z$ R6 f# ^3 C2 c# m" L# H
2 D" r8 W. W: D" i. b附件: IC电子元器件失效分析.zip (333.7 KB, 下载次数: 0)
* N1 U2 H" f, F& H6 \7 j, l' [3 x( [

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2#
发表于 2021-10-12 11:27 | 只看该作者

3 @) f; }  Z3 Y, c5 oz 应力-时间模型(反应论模型)
5 T7 s7 W& G( R1 h7 e5 Z: R失效原因:应力的时间累积效应,特性变化超
) b5 ]8 p' G9 s差。如金属电迁移、腐蚀、热疲劳
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