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FP35R12W2T4问题咨询

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月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2021-10-8 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    IGBT型号：FP35R12W2T4  Ic=15A左右，Tvj=25到125度。
    . V; J, A  d* ~/ k% Q咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。0 q1 R. k  j9 ^
    ) b1 `8 W) i: ^
    目前有一款产品，因为米勒效应，在下桥开通时，上桥Vge能达到6V左右。模块在Tvj≦115度时无问题，当Tvj＞115度，模块会炸机。. ]# ~% I3 p7 [. G- i& c4 d% q( l
    波形和原理图见附件，麻烦看下有什么地方需要调整的，谢谢！+ r* y, m9 M- _, c1 T

    2-VL 3-VH (2).jpg (102.89 KB, 下载次数: 1)

    2-VL 3-VH

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    2#
    发表于 2021-10-9 09:42 | 只看该作者
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    点评

    月色
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。  详情 回复 发表于 2021-10-9 13:30

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    月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
     楼主| 发表于 2021-10-9 13:30 | 只看该作者
    startostar 发表于 2021-10-9 09:42
    " j4 V  B: O  P- C0 k. w4 v1 T& p) E死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    * O5 C) ]7 W2 @6 s% A死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
    * J5 f2 b4 a3 r; P, o* k

    点评

    startostar
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题  详情 回复 发表于 2021-10-9 14:20

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2021-10-9 14:20 | 只看该作者
    月色 发表于 2021-10-9 13:30
    1 o( V) p* B; E5 ]! W% m: E9 U: f死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
    4 Z+ W0 o/ I/ p) I- o" t5 h0 C& F( U
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题+ h6 C/ m" _9 w( Z! H* _4 e6 {

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