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FP35R12W2T4问题咨询

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月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2021-10-8 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    IGBT型号：FP35R12W2T4  Ic=15A左右，Tvj=25到125度。
    2 y) f( V$ `7 h' \, z1 S' `% ]0 T咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。0 D2 `7 {3 }. C# S# }, \0 k
    " L8 v% w; l: c4 y9 ]4 n1 ?% I
    目前有一款产品，因为米勒效应，在下桥开通时，上桥Vge能达到6V左右。模块在Tvj≦115度时无问题，当Tvj＞115度，模块会炸机。
    0 T2 h: W7 h% t5 t4 D: a4 l/ D波形和原理图见附件，麻烦看下有什么地方需要调整的，谢谢！. Y& ?+ ]4 l7 d, Z  ^' e; G

    2-VL 3-VH (2).jpg (102.89 KB, 下载次数: 3)

    2-VL 3-VH

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    2#
    发表于 2021-10-9 09:42 | 只看该作者
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    点评

    月色
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。  详情 回复 发表于 2021-10-9 13:30

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    月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
     楼主| 发表于 2021-10-9 13:30 | 只看该作者
    startostar 发表于 2021-10-9 09:42
    9 H" R- a/ D/ Q. C死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    # c: b* I, y7 F9 ^8 ^3 }5 ^5 K+ d死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。- J4 Z4 |8 u8 x+ \

    点评

    startostar
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题  详情 回复 发表于 2021-10-9 14:20

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2021-10-9 14:20 | 只看该作者
    月色 发表于 2021-10-9 13:30: f4 Z3 g  l: K# l! H# n
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
    % ^6 L, N& M. I/ j% S
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题
    ; D- F/ a# [% f: S7 I. p

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