MOS管门极驱动电路

QWE4562009 · 发表于 2021-9-29 10:34

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MOS管门极驱动电路

问题

1.Q2的存在为什么可以加速Q门极输入电容的放电？

2.D1的作用?是加速Q导通？

muzitongxue · 发表于 2021-9-29 11:29

d1防止反向击穿

QWE4562009 · 发表于 2021-9-29 14:43

muzitongxue 发表于 2021-9-29 11:29
- p; V+ h" U/ k1 |2 Qd1防止反向击穿

防止什么反向击穿？

QWE4562009 · 发表于 2021-10-8 15:13

1.Q2的存在为什么可以加速Q门极输入电容的放电？ 2.D1的作用?是加速Q导通？以上是怎么做到的

LIGHT0177 · 发表于 2021-10-9 10:05

当Q1截止时，D1的正极电压为0，负极因为有Q的输入电容的原因还有电压，因此Q2会导通放电。D1的作用就是让Q2的基极和和发射极产生压差而导通放电的。

hu16happy · 发表于 2021-10-15 21:21

对的，那个100K电阻是不是可以调小点，这样放电速度应该可以快点

1406844838 · 发表于 2021-10-25 11:44

5楼说的是对的

huo_xing · 发表于 2021-10-25 14:03

这个图哪来的，不能正常工作的。S1闭合后，由于be节的二极管存在，Q1.E电压在2.6V。Q1.CE节会有10V左右压降，如果Q1的功耗不够会烧掉。并且Q1.E只有2.6V，后面的mos不是完全导通，大负载烧管子是迟早的问题。
要不把Q1改成N管，要不把Q1的驱动改成12V。

cooler21 · 发表于 2021-10-25 19:45

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