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200V MOS管,这种功率MOSFET是飞虹电子优质产品中的一个常见产品。这款FHP640场效应管具有低电荷、低反向传输电容、开关速度快的特点。
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在实际应用中是比较多用于:DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动的场景电路中。) M. U; e5 z! R1 g8 Y% t0 n
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/ R, t% y; e. A6 t2 M这一款200V 的飞虹电子FHP640 MOS管为什么值得电子工程师来使用呢?
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" b/ y, B3 {- J# C3 O: g1 t三个原因回答您的疑问:
! x! Q/ e0 ^) w1、飞虹电子专注MOS管制造19年,是国内优质的MOS管制造厂商2 a( g$ A5 V6 D0 T' Q5 O; Z- s
2、拥有自身的核心专利技术,是国产化替代使用的好产品1 E# a3 h9 }6 B3 A [
3、在互联网各大平台均有对应推荐使用的文章- P9 f" _; ]5 S& v) V; C0 d- d' I
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【200V MOS管 FHP640场效应管参数:极限值 (TC=25℃)】$ z8 v% T1 y# x4 J" K
漏-源电压:200V
+ L Z( w& X& a9 B/ e+ _! k漏极直流电流:18A
8 a/ u3 ?4 l3 J. B. c' ]- x漏极直流电流@TC=100℃:11.4A& N' B5 x3 A( n8 p2 ]1 X
最大脉冲漏极电流:72A
' ]2 T2 ]' J; k9 X' [ I栅-源电压:±30V- c7 r, L/ I; h2 J
耗散功率:139W5 v' y [# X" F* s: E6 @. f
超过25℃时的降额因子:1.11W/℃
1 }% K! }) x D, C; o. P; j3 i. C结温和存储温度:150,-55~150 ℃
' a; |9 z0 B' _1 @3 h/ V最高焊接温度:300℃
4 q2 B1 [0 o% o L) v单脉冲雪崩击穿能量:250mJ, D7 Q+ n) Z, X% ^0 E7 H: G
重复脉冲雪崩击穿能量:13.9 mJ
' ~& T4 d& H9 u6 \+ [8 f雪崩电流: 18 A2 ^3 q. m7 U! u# w, o5 ] v( H+ R _
二极管反向恢复峰值dv/dt:5.5 V/ns
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G3 |! w( w' c" K* E& I该200V MOS管使用的封装形式是TO-220,目前在使用上面可替代IR场效应管品牌型号:IRF640。
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9 ]# O( ^: y# B4 S# O4 z200V 18A的MOS管替换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。
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